考题
IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。
A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR
考题
IGBT是一个复合型的器件,它是( )
A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
考题
试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。
考题
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。
A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
考题
电力MOSFET通态电阻具有(),并联使用具有电流自动均衡能力,易于并联。A、电导调制效应B、正的温度系数C、负的温度系数D、擎住效应
考题
与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点。
考题
UPS常用的电力电子器件有：（）A、GTR；B、MOSFET；C、IGBT；D、SCR
考题
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
考题
功率MOSFET可多个管子并联工作，具有（）能力。
考题
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
考题
从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
考题
在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
考题
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
考题
试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
考题
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。
考题
试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
考题
填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
考题
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
考题
判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。A
对B
错
考题
问答题说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
考题
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A
GTO和GTR；B
TRIAC和IGBT；C
MOSFET和IGBT；D
SCR和MOSFET；
考题
问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
考题
问答题GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？
考题
填空题与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点。
考题
问答题Power MOSFET和GTR哪个易于并联，为什么？
考题
问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
考题
问答题从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。