考题
在使用晶体管时应注意要注意查的参数为()值,使用()、()等。
考题
为什么图示仪测量晶体管击穿特性时，一般不会损坏管子？
考题
电压互感器使用时要注意（）A、工作时二次侧不得短路B、二次侧必须有一端接地C、连接时注意极性D、负载阻抗要小
考题
用晶体管图示仪观察晶体三极管二次击穿前所出现的主要征兆有哪两种？
考题
晶体管调节器上的大功率管被击穿后，发电机输出电压将下降。
考题
使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
考题
电力晶体管的缺点是（）。A、功率容量小B、必须具备专门的强迫换流电路C、具有线性放大特性D、易受二次击穿而损坏
考题
电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
考题
在使用JT-1图示仪测试大功率晶体管极限参数时，阶梯作用开关应选择在（）位。A、重复B、关断C、单族D、任意
考题
在使用JT—1图示仪测试大功率晶体管极限参数时，阶梯作用开关应选用在（）位。
考题
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止
考题
关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
考题
大功率晶体管在使用中，超过了（）参数，管子必然损坏。A、vceoB、IceoC、IcboD、pcm
考题
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
考题
电力晶体管在使用时，要防止（）。A、二次击穿B、静电击穿C、时间久而失效D、工作在开关状态
考题
更换晶体管调节器时，要注意调节器的（）应相符。A、最大功率；B、最大工作电流；C、标准电压；D、反向电阻
考题
发动机处于怠速工况下，测量发电机外搭铁式晶体管调节器大功率三极管，接通电路后管压降小于0.2V，说明三极管（）。A、击穿短路B、击穿开路C、截止D、正常
考题
电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（）A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和
考题
下列器件中，会发生二次击穿现象的有（）A、GTOB、功率晶体管C、功率场效应管D、1GBT
考题
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A
有二次击穿B
无二次击穿C
防止二次击穿D
无静电击穿
考题
单选题电力晶体管在使用时，要防止（）。A
二次击穿B
静电击穿C
时间久而失效D
工作在开关状态
考题
判断题晶体管调节器上的大功率管被击穿后，发电机输出电压将下降。A
对B
错
考题
填空题大功率晶体管简称（），通常指耗散功率（）以上的晶体管。
考题
单选题功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A
一次击穿B
二次击穿C
临界饱和D
反向截至
考题
判断题使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。A
对B
错