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电力场效应管MOSFET()现象。

  • A、有二次击穿
  • B、无二次击穿
  • C、防止二次击穿
  • D、无静电击穿

参考答案

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考题 驱动电力MOSFET有多种集成芯片。()

考题 SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。

考题 下列关于场效应管的说法中,错误的是: A、场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOSFET)B、场效应管工作于放大状态时,结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说,场效应管的输入电阻都比较高,结型高达107Ω,绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说,场效应管的放大能力大都比较弱

考题 功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。

考题 电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。

考题 电力场效应管MOSFET适于在()条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频

考题 绝缘栅双极晶体管具有()的优点.A、晶闸管B、单结晶体管C、电力场效应管D、电力晶体管和电力场效应管

考题 电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。

考题 电力场效应管MOSFET适合于在()条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频

考题 UPS常用的电力电子器件有:()A、GTRB、MOSFET;C、IGBT;D、SCR

考题 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

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考题 MOS场效应管的英语缩写是()。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”

考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿

考题 功率场效应管(MOSFET)的特点有哪些?

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 电力MOSFET的基本特性有()、()和()三种。

考题 电力场效应管(MOSFET)是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件,属于()。

考题 电力场效应管MOSFET在使用和存放时,要防止()A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和

考题 单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿

考题 问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

考题 填空题电力MOSFET的基本特性有()、()和()三种。

考题 问答题功率场效应管(MOSFET)的特点有哪些?

考题 判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。A 对B 错

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