考题
晶体管的结构特点是()。
A、有一个PN结B、有二个PN结C、有三个PN结
考题
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
考题
发光二极管是一种将电能转变成光能的半导体器件,是由()组成。
A.2个PN结B.3个PN结C.1个PN结D.4个PN结
考题
稳压管的稳压性能是利用( )实现的。A.PN结的单向导电性
B.PN结的反向击穿特性
C.PN结的正向导通特性
D.PN工艺特性
考题
P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结,PN结中存在着()种载流子的运动。A4B3C2D1
考题
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的()。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
普通半导体三极管是有?()。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成D、四个PN结组成
考题
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的()。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
PN结的单向导电性就是:加正向电压时,PN结();加反向电压时,PN结()。
考题
PN结加正向电压则:()A、PN结变薄B、PN结变厚C、PN结不变
考题
PN结具有()性能,即加正向电压时,PN结();加反向电压时,PN结()。
考题
P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结,PN结中存在着()种载流子的运动。A、4B、3C、2D、1
考题
PN结具有(),即加正向电压时,PN结处于(),加反向电压时,PN结处于()。
考题
普通双极型晶体管是由()。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成
考题
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述PN结的反向击穿特性。
考题
当PN结外加正向电压时,PN结内多子()形成较大的正向电流。
考题
使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。正偏时PN结处于()状态,反偏时PN结处于()状态。
考题
PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。
考题
PN结反向偏置时,PN结的内电场()。PN具有()特性。
考题
二极管是由()构成的。A、1个PN结B、2个PN结C、3个PN结D、4个PN结
考题
单选题双极型晶体管有()A
二个pn结B
一个pn结C
三个pn结D
没有pn结
考题
问答题PN结的寄生电容有几种,形成机理,对PN结的工作特性及使用的影响?