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一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。
A、0
B、1
C、5
D、10
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考题
某N沟道增强型MOSFET,其源和衬底接地,栅极和漏极始终短接。当栅极电压为3V时,测得漏源电流IDS为1mA;当栅极电压为4V时,测得漏源电流IDS为9mA。 (1)试计算该器件的VT 和β。 (2)当栅极电压为5V时,器件的跨导为多少?
考题
1、MOSFET利用()电压控制()电流的大小,是()器件。A.栅漏,漏极,电流控制电流B.栅源,漏极,电压控制电流C.漏源,漏极,电流控制电压D.栅源,栅极,电流控制电压
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