网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

5、MOSFET出厂时，如果衬底未与源极相连，则 _____________在使用时可互换。

A．栅极与源极

B．漏极与源极

C．栅极与漏极

D．衬底与源极

参考答案和解析
B
更多 “5、MOSFET出厂时，如果衬底未与源极相连，则 _____________在使用时可互换。A．栅极与源极B．漏极与源极C．栅极与漏极D．衬底与源极” 相关考题
考题 使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取( )V。 A、0-5B、5-10C、10-15D、15-20
查看答案
考题 耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏
查看答案
考题 通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。()
查看答案
考题 MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。 A、基极B、源极C、发射极D、阻板
查看答案
考题 一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10
查看答案
考题 功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
查看答案
考题 三极管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
查看答案
考题 功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
查看答案
考题 使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
查看答案
考题 电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
查看答案
考题 在电解池中与电源负极相连的极是（），正极相连的极是（）。
查看答案
考题 MOSFET属于双极型器件。
查看答案
考题 通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
查看答案
考题 通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
查看答案
考题 源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。A、对地阻抗极大B、对地有数uF的电容C、对地有很高的电压D、以上都正确
查看答案
考题 钳型电流表是在不（）电路的情况下，进行测量的。它的铁芯有一可断开部分，并与手柄相连。使用时按动手柄则铁芯（），放开手柄则铁芯（）。
查看答案
考题 单选题按照衬底材料不同，硅光电二极管分为2CU和2DU两种系列。它们主要有两个不同点：请选择正确的答案（）A 2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底；2CU型管还设了一个环极；B 2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2CU型管还设了一个环极；C 2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极；D 2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极。
查看答案
考题 填空题金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度 低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度 高于（）时 可实现（）。
查看答案
考题 填空题在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
查看答案
考题 填空题在P型衬底上画nmos器件时需要在P型衬底上加（），并用金属线把这个（）与P型衬底内的（）电位相连接。
查看答案
考题 判断题MOSFET属于双极型器件。A 对B 错
查看答案
考题 填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
查看答案
考题 填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
查看答案
考题 判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A 对B 错
查看答案
考题 填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
查看答案
考题 多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
查看答案
考题 填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
查看答案
考题 填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
查看答案
热门标签
最新试卷