98、98－1型整流电压50±2V、充电电压此题为判断题(对，错)。

题目内容（请给出正确答案）

98、98－1型整流电压50±2V、充电电压<55±1V。()

此题为判断题(对，错)。

参考答案

考题 98－1型应急电源充电电流是()。 A.5A±3AB.5A±2AC.6±2AD.5A±1A

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考题 98－1型应急电源整流电压及充电电压是()。 A.50±2VB.55±1VC.65±1VD.50±1V

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考题 96型整流电压50±2V、充电电压 A.5B.10C.15D.20

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考题 98、98－1型整流电压50±2V、充电电压 A.5B.10C.15D.20

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考题 96型整流电压50±2V、充电电压此题为判断题(对，错)。

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考题增强型NMOS管的栅源电压为VGS=2V，漏源电压为VDS=1.5V，阈值电压为VTN=1V，则NMOS管工作在。A．非饱和区B．截止区C．饱和区D．线性区

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考题 25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。

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考题测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。A．预夹断临界点B．饱和区（恒流区、放大工作区）C．可变电阻区D．截止区

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考题 26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

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