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增强型NMOS管的栅源电压为VGS=2V，漏源电压为VDS=1.5V，阈值电压为VTN=1V，则NMOS管工作在 。

A．非饱和区

B．截止区

C．饱和区

D．线性区

参考答案和解析
只能为负
更多 “增强型NMOS管的栅源电压为VGS=2V，漏源电压为VDS=1.5V，阈值电压为VTN=1V，则NMOS管工作在 。A．非饱和区B．截止区C．饱和区D．线性区” 相关考题
考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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考题 某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。 A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V
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考题 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
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考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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考题 场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
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考题 增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压() 此题为判断题(对，错)。
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考题 N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
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考题 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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考题 增强型NMOS管
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考题 在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN。（）
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考题 场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
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考题 场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
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考题 根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
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考题 场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。
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考题 N沟道JFET的跨导gm是（）A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小
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考题 场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
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考题 当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
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考题 NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
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考题 利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
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考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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考题 问答题NMOS和PMOS的源漏如何形成的？
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考题 判断题NMOS源漏城需进行N+型掺杂。A 对B 错
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考题 问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
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考题 名词解释题增强型NMOS管
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考题 单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A 栅极电流B 栅源电压C 漏源电压D 栅漏电压
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考题 单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A 正极性B 负极性C 零D 不能确定
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考题 问答题对NMOS晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？
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考题 单选题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）A 大于零B 等于零C 大于0.7VD 小于零
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