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测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=1V,VGS=2V,VTN=1V;其中VTN为增强型MOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域。

A.预夹断临界点

B.饱和区(恒流区、放大工作区)

C.可变电阻区

D.截止区


参考答案和解析
饱和
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考题 功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压

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考题 增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压() 此题为判断题(对,错)。

考题 在图a)电路中有电流I时,可将图a)等效为图b),其中等效电压源电动势ES和等效电源内阻R0为: A. -1V,5.1430Ω B. 1V,5Ω C. -1V,5Ω D. 1V,5.143Ω

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考题 某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管

考题 场效应管是通过()改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压

考题 N沟道JFET的跨导gm是()A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小

考题 场效应管工作在饱和区时,其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈()关系。

考题 用峰值电压表测量某一电压,若读数为1V,则该电压的峰值为()伏。

考题 按RS485接口的电气特性要求,逻辑“0”时两线间的电压差为()。A、1V~5VB、+2V~+6VC、-2V~-6VD、1V~10V

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考题 单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。()A 栅极电流B 栅源电压C 漏源电压D 栅漏电压

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考题 单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()A 正极性B 负极性C 零D 不能确定