()是由于热激励电子空穴对形成的。 A、暗电流B、分析力C、灵敏度D、其他

题目内容（请给出正确答案）

()是由于热激励电子空穴对形成的。

A、暗电流

B、分析力

C、灵敏度

D、其他

参考答案

考题半导体中的空穴电流是由于价电子递补空穴而产生的。() 此题为判断题(对，错)。

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考题半导体中空穴电流是由( )A.价电子填补空穴所形成的B.自由电子填补空穴所形成的C.空穴填补自由电子所形成的D.自由电子定向运动所形成的

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考题 11、由于电子的有效质量小于空穴的有效质量，因而电子的迁移率比空穴的大。

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考题在热激发条件下，价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。A．自由电子-空穴对B．正离子C．负离子D．空穴

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考题光电检测器是外加反向偏压的PN结，当入射光作用时，发生受激吸收产生光生电子-空穴对，这些电子-空穴对在耗尽层内建电场作用下形成漂移电流，同时在耗尽层两侧部分电子-空穴对由于扩散运动进入耗尽层，在电场作用下形成扩散电流，这两部分电流之和为光生电流。

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考题 14、在电离辐射的照射下SiO2层产生电子-空穴对，在外加偏压作用下会向偏移，而在SiO2层中留下，因此在会形成电离陷阱（）。A．空穴，正极，电子，负极B．空穴，负极，电子，正极C．电子，正极，空穴，负极D．电子，负极，空穴，正极

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考题由于电子的有效质量小于空穴的有效质量，因而电子的迁移率比空穴的小。

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考题 2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生（）。A．负离子B．空穴C．正离子D．电子-空穴对

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考题 16、在热激发条件下，价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。A．自由电子-空穴对B．正离子C．负离子D．空穴

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