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光电检测器是外加反向偏压的PN结,当入射光作用时,发生受激吸收产生 光生电子-空穴对,这些电子-空穴对在耗尽层内建电场作用下形成漂移电流,同时在耗尽层两侧部分电子-空穴对由于扩散运动进入耗尽层,在电场作用下形成扩散电流,这两部分电流之和为光生电流。


参考答案和解析
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考题 在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是(),N 型半导体中的电流主要是()。 A.电子电流,空穴电流B. 空穴电流,电子电流C. 电子电流,电子电流D. 空穴电流,空穴电流

考题 在半导体电路中所形成的电流是由两部分组成的,即自由电子与空穴,前者叫电子型导电(N),后者叫空穴型导电(P)。() 此题为判断题(对,错)。

考题 当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层() A.大于B.变窄C.等于D.小于E.变宽F.不变

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 半导体中空穴电流是由()A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的

考题 关于本征半导体载流子,下面描述错误的是:()A、自由电子和空穴总是成对出现B、电子可以自由移动,空穴不能自由移动C、在温度升高和受光照射时,载流子的数目将增加D、自由电子和空穴在外电场作用下,运动方向相反,形成的电流方向相同,总电流是两者之和

考题 金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动形成的。A、空穴载流子B、正负离子C、自由电子D、载流子

考题 在半导体电路中所形成的电流是由两部分组成的,即自由电子与空穴,前者叫电子型导电(N),后者叫空穴型导电(P)。

考题 在外电场的作用下半导体中同时出现电子电流和空穴电流。()

考题 当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()A、大于B、变窄C、等于D、小于E、变宽F、不变

考题 在外电场作用下,半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。

考题 PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

考题 当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。A、大于,变宽B、小于,变窄C、大于,变窄D、小于,变宽

考题 在平衡p-n结中,由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流,而使p-n结中的静电流为零。

考题 金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动而形成的。A、自由电子B、正、负离子C、空穴载流子D、自由电子和空穴

考题 PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(),流过PN结的电流()。

考题 PN结未加外部电压时,扩散电流()漂流电流,加正向电压时,扩散电流()漂流电流,其耗尽层();加反向电压时,扩散电流()漂流电流,其耗尽层()。

考题 二极管的最主要特性是()。PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。

考题 当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层变窄,当PN结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽

考题 当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当外加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。

考题 PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。

考题 在外加电压的作用下,P型半导体中的电流主要是()A、电子电流B、空穴电流C、电子电流和空穴电流D、离子

考题 当PN结外加正向电压时,()占优,耗尽层变窄。A、中和电流B、扩散电流C、漂移电流D、正弦电流

考题 PN结反向漏电流是由()产生的。A、电子B、空穴C、少数载流子D、多数载流子

考题 太阳光的光子在电池里激发电子空穴对,电子和空穴分别向电池的两端移动,如果外部构成通路,就形成电流,产生电压。

考题 单选题简述光生伏特效应中正确的是()A 用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;B p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;C 平衡载流子破坏原来的热平衡;D 非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。

考题 单选题金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动而形成的。A 自由电子B 正、负离子C 空穴载流子D 自由电子和空穴

考题 单选题当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对。在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负,这种效应称为光生伏特效应。A P区;B N区;C 结区;D 中间区。