功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型

题目内容（请给出正确答案）

功率场效应晶体管一般为()。

A、N沟道耗尽型

B、N沟道增强型

C、P沟道耗尽型

D、P沟道增强型

参考答案

考题在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

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考题功率场效应晶体管一般为()。 A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型

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考题结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

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考题在MOSFET放大电路中，当vGS为正值时，电路不可能正常放大。A．N沟道增强型MOSFETB．N沟道耗尽型MOSFETC．P沟道增强型MOSFETD．P沟道耗尽型MOSFET

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考题当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A．N沟道耗尽型B．N沟道增强型C．P沟道耗尽型D．P沟道增强型

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考题 11、当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流A．P沟道耗尽型B．P沟道增强型C．N沟道耗尽型D．N沟道增强型

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考题 8、当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A．N沟道耗尽型B．N沟道增强型C．P沟道耗尽型D．P沟道增强型

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考题 1、MOSFET有N沟道和P沟道两种，下面说法错误的是（）。A．N沟道中载流子是电子B．P沟道中载流子是空穴C．N沟道有增强型和耗尽型D．P沟道只有耗尽型

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考题 6、当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A．N沟道耗尽型B．N沟道增强型C．P沟道耗尽型D．P沟道增强型

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