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TTL集成门电路是指()。

  • A、二极管---三极管集成门电路
  • B、晶体管---晶体管集成门电路
  • C、N沟道场效应管集成门电路
  • D、P沟道场效应管集成门电路

参考答案

更多 “TTL集成门电路是指()。A、二极管---三极管集成门电路B、晶体管---晶体管集成门电路C、N沟道场效应管集成门电路D、P沟道场效应管集成门电路” 相关考题
考题 MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。() 此题为判断题(对,错)。

考题 TTL集成逻辑门电路内部是以( )为基本元件构成的。A.二极管B.晶体管C.晶闸管D.场效应晶体管

考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。() 此题为判断题(对,错)。

考题 集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A、二极管B、三极管C、晶闸管D、场效应管

考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。

考题 DTL集成门电路是一种复合门电路。

考题 TTL集成逻辑门电路、输入端和输出端都采用二极管结构。()

考题 下列说法错误的是()A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较高

考题 CMOS集成门电路的内部电路由场效应管构成。

考题 CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL集成门电路高。

考题 基本的R-S触发器是由两个()。A、集成与门电路组合而成B、集成与或门电路组合而成C、集成与非门电路组合而成D、集成与或非门电路组合而成

考题 TTL集成门电路有何特点,集成门电路的多余端如何处理?

考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。

考题 下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

考题 TTL集成门电路是指()。A、二极管——三极管集成门电路B、晶体管——晶体管集成门电路C、可控硅——三极管集成门电路

考题 下列说法错误的是()。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低

考题 按照电路的不同结构,门电路可以分为()与()。A、分立元件门电路,TTL门电路B、集成门电路和双极型电路C、分立元件门电路,集成门电路D、TTL门电路,集成门电路

考题 TTL集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A、二极管B、三极管C、晶闸管D、场效应管

考题 TTL集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A、场效应管;B、晶闸管;C、晶体管;D、电阻、电容、电感。

考题 CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A、二极管B、三极管C、晶闸管D、场效应管

考题 TTL集成电路和COMS集成门电路的功耗差不多。

考题 CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL门电路高。

考题 CMOS集成门电路的输入阻抗比L集成门电路高。

考题 TTL集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A、二极管B、晶体管C、晶闸管D、场效应晶体管

考题 单选题关于逻辑门电路下列说法正确的是(  )。A 双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D TTL逻辑门电路和CMOS集成门电路不能混合使用

考题 多选题下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。ATTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。BTTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。CTTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。DTTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

考题 判断题CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。A 对B 错