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霍尔电压与基片的厚度（）。

  • A、成反比
  • B、成正比
  • C、无关
  • D、成倍数增长

参考答案

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考题 用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小：（）A、与霍尔材料的性质无关；B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比；C、与霍尔片上的工作电流的大小成反比；D、与霍尔片的厚度成正比
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考题 用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小：（）A、与霍尔材料的性质无关B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比C、与霍尔片上的工作电流Is的大小成反比D、与霍尔片的厚度d成正比
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考题 霍尔电压UH与（）成正比。A、控制电流IB、霍尔元件的面积SC、磁感应强度BD、以上三者
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考题 霍尔效应或霍尔电压
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考题 霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体基片，且电流方向与磁场方向垂直上，电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏移，在（）电流与磁场的半导体基片的横向侧面上，将产生一个（）。A、平行；电流B、垂直；电压C、平行；电压D、垂直；电流
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考题 当把一个有电流通过的霍尔元件放在磁场方向与电流方向垂直的磁场中时，在该元件与电流方向垂直的横向侧边上就会产生一个微弱电压，这个电压叫做霍尔电压。
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考题 霍尔式曲轴位置传感器是利用霍尔效应原理，产生与曲轴转角相对应的电压脉冲信号的。（）
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考题 关于霍尔电势下列说法正确的是（）。A、霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度B、霍尔电势的灵敏度与霍尔常数R成正比C、霍尔电势与霍尔元件的厚度d成反比D、以上说法都对
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考题 太阳能电池基片的厚度GaAs为（），a-Si为（）。
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考题 霍尔电动势正比于激励电流及磁感应强度，其灵敏度与霍尔系数成（）而与霍尔片厚度成（），为了提高灵敏度霍尔元件常做成（）形状。
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考题 霍尔电压大小与霍尔元件的尺寸有关。
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考题 霍尔电压大小与材料的性质有关。
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考题 霍尔电压的大小与电流和磁感应的乘积成正比，与（）成反比。
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考题 霍尔效应的原理是：当电流I通过在磁场中的半导体基片（即霍尔元件），且电流方向与磁场方向垂直时，在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面，即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的（）。A、电流B、电压C、电感D、电场
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考题 霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体晶片，且电流、磁场、晶片相互垂直时，在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个（）。A、线性变化的电流B、线性变化的电压C、矩形波电压D、尖峰波电流
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考题 霍尔传感器产生的霍尔电压大小，与（）有关。A、磁场方向B、磁场的强弱C、输入电压D、磁场内导线的长度
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考题 单选题霍尔电压与流过基片的电流成（）。A 反比B 正比C 倒数
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考题 单选题霍尔分电器由（）集成电路组成。A 霍尔触发器片和霍尔电流产生器B 霍尔感应器片和霍尔电压产生器C 霍尔电压器片和霍尔电压产生器D 霍尔触发器片和霍尔电压产生器
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考题 单选题霍尔电压产生的条件是（）。A 电流与磁场垂直B 电流与磁场平行C 电流与电压垂直
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考题 单选题霍尔效应中，霍尔电势与（）A 霍尔常数成正比B 霍尔常数成反比C 霍尔元件的厚度成正比
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