考题
导通后二极管两端电压变化很小,硅管约为()。
A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
考题
二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
考题
硅二极管的正向导通电压是( )。A.0.3VB.0.6VC.1V
考题
要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。A对B错
考题
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。A、大B、小C、相等D、无法判定
考题
硅材料二极管的正向导通电压约为()。A、0.1-0.3伏B、0.6-0.7伏C、1.2-1.5伏D、1-2伏
考题
在常温常压下,硅二极管的正向导通压降约为()。A、0.1~0.3VB、0.4~0.5VC、0.6~0.8VD、0.9~1.0V
考题
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
考题
要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。
考题
晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
考题
硅二极管的正向导通压降约为()A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
考题
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
考题
硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
考题
硅二极管的导通电压值约为(),锗二极管的导通电压约为()。
考题
在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。
考题
在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
考题
二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
考题
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
考题
导通后二极管两端电压变小,硅管约为()。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V