考题
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
考题
硅二极管的死区电压一般为0.2V。此题为判断题(对,错)。
考题
小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
考题
硅材料二极管的正向导通电压约为()。A、0.1-0.3伏B、0.6-0.7伏C、1.2-1.5伏D、1-2伏
考题
硅二极管的正向导通电压约为()A、0.1-0.3伏B、0.6-0.7伏C、1.2-1.5伏D、1-2伏
考题
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
考题
硅二极管的正向导通压降约为()A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
考题
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
考题
硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
考题
硅二极管的导通电压值约为(),锗二极管的导通电压约为()。
考题
在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。
考题
在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
考题
二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
考题
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
考题
锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()
考题
硅二极管上外加正向电压很低时,正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约()时,正向电流才明显增加,这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
考题
判断题锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()A
对B
错
考题
判断题硅管的正向电压为0.2V。A
对B
错
考题
判断题硅二极管的正向电压约为0.2V。()A
对B
错
考题
填空题硅二极管的正向电压降一般为()左右;锗二极管的正向电压一般为()左右。
考题
填空题硅整流二极管承受正向电压的阻值很小,约为()Ω,反向电阻则大于()Ω,不符合要求时应予更换。