考题
()可以防止因意外情况造成电池阵列电压低于蓄电池直流母线电压时,电流反向回流到太阳能电池阵列。
A.屏蔽二极管B.旁路二极管C.隔离二极管D.分路二极管
考题
变容二极管工作时,应加()
A、反向电压B、正向电压C、反向电压或正向电压
考题
加在二极管上的正向电压大于死区电压时,二极管();加反向电压时,()截止 。
考题
某二极管的正向电压为1V时电流为40mA,这时二极管的直流内阻是多少?若又知道正向电压的变化为0.8V时的电流变化为20mA,则二极管的交流内阻是多少?
考题
二极管两端加上正向电压时超过()电压才能导通。
考题
要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。A对B错
考题
极管如果采用正向接法，稳压二极管将（）A、稳压效果变差B、稳定电压变为二极管的正向导通压降C、截止D、稳压值不变，但稳定电压极性发生变化
考题
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
正常工作时，发光二极管与光电二极管应外加（）A、均应加正向电压B、均应加反向电压C、前者加正向电压，后者加反向电压D、前者加反向电压，后者加正向电压
考题
TW系列驼峰自动控制系统交流净化电源输出电源电压为（）。A、AC220V±0.5VB、AC220V±1VC、AC220V±1.5VD、AC220V±2V
考题
正常情况下KNK的输出信号电压一般为（）。A、0.5VB、1VC、1.5VD、3V
考题
发光二极管在正向电压小于某一值（）时，电流极小，不发光；当电压超过某一值后正向电流随电压迅速增加，发光。
考题
（）可以防止因意外情况造成电池阵列电压低于蓄电池直流母线电压时，电流反向回流到太阳能电池阵列。A、屏蔽二极管B、旁路二极管C、隔离二极管D、分路二极管
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
考题
TW系列驼峰自动控制系统开关量采集电压为（）。A、DC24V±0.5VB、DC24V±1VC、DC24V±1.5VD、DC24V±2V
考题
二极管两端正向电压大于（）时，二极管才导通。A、击穿电压B、开启电压C、夹断电压D、直流电压
考题
在利用变容二极管进行调频时，必须加上一个大于调制信号振幅的反向直流偏压，是为了（）。A、保证变容二极管在调制电压的负半周也具有反向电压B、保证变容二极管在调制电压的正半周也具有反向电压C、保证变容二极管在调制电压的负半周也具有正向电压D、保证变容二极管在调制电压的正半周也具有正向电压
考题
二极管在正向电压作用下处于（）状态。如果不计二极管的正向压降，它相当于开关处于（）状态。
考题
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
考题
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。