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填空题
硅二极管的正向电压降一般为()左右;锗二极管的正向电压一般为()左右。

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考题 在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。

考题 为什么二极管具有单向导电性?硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少?

考题 二极管导通状态描述错误的是()A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后,其导通电流不变D、二极管导通后,其导通电压不变

考题 锗二极管正向电压超过0.2伏左右,硅管超过0.5伏左右,正向电流很快上升。

考题 二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7

考题 硅二极管的正向导通电压为()伏左右。A、0﹒2B、0﹒7C、1D、0﹒4

考题 二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

考题 在判断被测二极管是硅管还是锗管,一般情况下是通过测量()来判断的。A、正向电阻B、正向电流C、反向电阻D、正向导通电压

考题 锗二极管正向导通电压为0.6~0.8V。

考题 实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()。

考题 锗二极管的正向压降通常为()。A、0.3v左右B、0.5v左右C、0.6v左右D、0.7v左右

考题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()

考题 晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

考题 硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。

考题 在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。

考题 在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。

考题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()

考题 二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

考题 在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

考题 普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。

考题 锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()

考题 锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。

考题 硅二极管上外加正向电压很低时,正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约()时,正向电流才明显增加,这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V

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考题 判断题硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。A 对B 错

考题 填空题硅二极管的正向电压降一般为()左右;锗二极管的正向电压一般为()左右。