考题
随着温度的升高,三极管的参数:()
A、反向饱和电流增大B、电流放大系数增大C、同基极电流下、UBE值减小D、反向饱和电流减小E、电流放大系数减小F、UBE值不变
考题
晶体三极管的主要参数有()。
A.电流放大倍数B.反向饱和电流C.最高频率D.穿透电流
考题
晶体管的反向饱和电流Icbo是指发射极e开路时( )之间的反向饱和电流。A.e极和b极B.e极和c极C.c极和b极D.b极和f极
考题
晶体管的电流放大系数太小时,电流放大作用将();而电流放大系数太大时,又会使晶体管的性能()。
考题
使用晶体管时,下列哪些额定值不能超过?()
A、电流放大系数βB、反向饱和电流ICBOC、反向击穿电压BUCEOD、耗散功率PCM
考题
反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
A.越好B.越差C.无变化D.不确定
考题
三极管集电极反向饱和电流Icbo和集--射极穿透电流Iceo之间的关系为（）AIceo=IcboBIceo=（β+1）IcboCIceo=βIcbo
考题
三极管的（）是用来表示三极管的电流放大能力的参数。A、电流放大系数B、穿透电流C、最大允许电流D、反向击穿电压
考题
晶体管特性图示仪零电流开关的作用是测试管子的（）A、击穿电压、导通电流B、击穿电压、穿透电流C、反偏电压、穿透电流D、反偏电流、导通电流
考题
晶体管的反向饱和电流是指发射极e开路时（）极之间的反向饱和电流。A、e和bB、e和cC、c和bD、b和f
考题
温度对晶体管特性的影响主要包括以下哪些（）。A、UBEB、集电极、基极间的反向饱和电流ICBOC、放大系数β
考题
温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。
考题
温度升高时，晶体管的反向饱和电流将（）。A、增大B、减少C、不变D、不能确定
考题
晶体管的穿透电流越小，则其热稳定性能越（）。
考题
已知某晶体管的穿透电流ICEO=0.32mA，集基反向饱和电流ICBO=4μA，如要获得2.69mA的集电极电流，则基极电流IB应为（）。A、0.3mAB、2.4mAC、0.03mA
考题
三极管的穿透电流ICEO是集-基反向饱和电流的（）倍.A、aB、1+βC、β
考题
三极管的穿透电流ICEO是集—基反向饱和电流ICBO的（）倍。在选用管子时，一般希望ICEO尽量（）。
考题
温度升高时，BJT的电流放大系数β（），反向饱和电流ICEO（），发射结电压UBE（）
考题
晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的（）倍，在选用晶体管的时候，一般希望ICBO尽量（）。
考题
晶体三极管的主要参数有（），集电极最大允许耗散功率。A、电流放大系数B、穿透电流C、集电极最大允许电流D、集射极反向击穿电压
考题
在晶体管交流放大电路中，温度变化时将影响（）。A、三极管发射结电压B、三极管的反向饱和电流C、三极管的静态电流放大系数D、基极电源电压EBE、放大电路的输入信号的电压
考题
二极管的主要参数有三个，包括（）、最高反向工作电压，最大反向电流。A、最大整流B、最大平均电流C、电流放大系数D、穿透电流
考题
三极管集电极反向饱和电流Icbo和集--射极穿透电流Iceo之间的关系为（）A、Iceo=IcboB、Iceo=（β+1）IcboC、Iceo=βIcbo
考题
单选题温度升高时，晶体管的反向饱和电流将（）。A
增大B
减少C
不变D
不能确定
考题
单选题三极管的（）是用来表示三极管的电流放大能力的参数。A
电流放大系数B
穿透电流C
最大允许电流D
反向击穿电压