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温度升高,晶体管的电流放大系数β(),反向饱和电流ICBO()正向结电压uBE()。


参考答案

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考题 随着温度的升高,三极管的参数:() A、反向饱和电流增大B、电流放大系数增大C、同基极电流下、UBE值减小D、反向饱和电流减小E、电流放大系数减小F、UBE值不变

考题 随温度的升高,三极管:() A、反向电流减小B、反向电流增大C、电流放大系数增大D、电流放大系数减小

考题 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。 A、增大B、不变C、减小D、不确定

考题 使用晶体管时,下列哪些额定值不能超过?() A、电流放大系数βB、反向饱和电流ICBOC、反向击穿电压BUCEOD、耗散功率PCM

考题 温度升高时,PN结的反向饱和电流将减小。() 此题为判断题(对,错)。

考题 当环境温度升高时,半导体三极管的反向饱和电流Iabo将会()。A、增大B、减小C、不变D、反向

考题 晶体管管帽上的色点表示该晶体管的()A、电流放大系数B、反向饱和电流C、穿透电流

考题 晶体三极管的反向饱和电流随温度升高而()。A、不变B、升高C、降低D、时高时低

考题 晶体管的反向饱和电流是指发射极e开路时()极之间的反向饱和电流。A、e和bB、e和cC、c和bD、b和f

考题 当环境温度升高时,三极管的反向饱和电流Iabo将会()。A、增大;B、减小;C、不变;D、反向。

考题 温度升时,BJT的电流放大系数(),反向饱和电流ICBO(),发射结电压UBE()。

考题 温度对晶体管特性的影响主要包括以下哪些()。A、UBEB、集电极、基极间的反向饱和电流ICBOC、放大系数β

考题 温度升高时,晶体管的反向饱和电流将()。A、增大B、减少C、不变D、不能确定

考题 温度增加,极电极的反向饱和电流()。

考题 二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为()A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA

考题 当温度升高时,晶体管的β(),反向电流(),UBE()

考题 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(),正向压降将()。

考题 温度升高,对二极管的各种参数将发生影响,其中反向饱和电流将()

考题 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。A、增大B、不变C、减小

考题 温度升高时,BJT的电流放大系数β(),反向饱和电流ICEO(),发射结电压UBE()

考题 晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的()倍,在选用晶体管的时候,一般希望ICBO尽量()。

考题 当温度升高时,二极管反向饱和电流将()。A、增大B、减小C、不变D、等于零

考题 三极管集电极反向饱和电流Icbo随温度升高而(),直流放大倍数也()。

考题 在晶体管交流放大电路中,温度变化时将影响()。A、三极管发射结电压B、三极管的反向饱和电流C、三极管的静态电流放大系数D、基极电源电压EBE、放大电路的输入信号的电压

考题 当温度升高时,晶体二极管的反向饱和电流将()。A、增大B、减小C、不变D、不能确定

考题 单选题温度升高时,晶体管的反向饱和电流将()。A 增大B 减少C 不变D 不能确定

考题 单选题二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为()A 10μAB 15μAC 20μAD 40μA