考题
择伐后林分郁闭度以( )为宜。
A、0.8~0.9B、0.6~0.7C、0.2~0.3D、0.4~0.5
考题
测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V、－8V、－ 2.2V,则该管为()。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管
考题
在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE =0.2V、VCE = 4V，则这只三极管为( )。A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管
考题
在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V，则这只三极管为（）。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管
考题
硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。A、0.3B、0.7C、1
考题
工作在放大状态的三极管，测得三个管脚的电位分别为：1脚，-3.2V，2脚，-3V，3脚，-6V。由此可以判定三极管为（）。A、NPN型硅管B、PNP型硅管C、NPN型锗管D、PNP型锗管
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为V=-1．7V，V=-1．4V，VC=5V，则该管类型为（）。A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
考题
硅管与锗管的死区电压分别为（）。A、0.7、0.3B、0.3、0.7C、0.5、0.2D、0.2、0.5
考题
硅管与锗管的死区电压分别为（）。A、0.7，0.3B、0.3，0.7C、0.5，0.2D、0.2，0.5
考题
NPN、PNP三极管工作放大状态时，其发射结（）。A、均加反向电压B、均加正向电压C、NPN管加正向电压，PNP管加反向电压D、NPN管加反向电压，PNP管加正向电压
考题
某NPN硅三极管各极电压为Ue=0V，Ub=0.2V，Uc=6V，该管处于（）状态.A、截止B、饱和C、放大
考题
硅三极管正常工作时的Ube变化范围在（）A、0.5~0.6VB、0.6~0.7VC、0.7~0.8D、0.8~0.9V
考题
硅三极管正常工作时的Uｂｅ的变化范围在（）A、0.5~0.6VB、0.6~0.7VC、0.7~0.8VD、0.8~0.9V
考题
某放大电路正常工作时，测得UB=1.5V，UE=2V，则所用半导体三极管的类型及材料为（）A、NPN硅B、NPN锗C、PNP硅
考题
硅管的死区电压约为（）。A、0.8VB、0.9VC、0.7VD、0.6V
考题
硅管的正向电压为（）V。A、0.5B、0.2C、0.3D、0.4
考题
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。
考题
当NPN三极管发射结电压小于0V；集电结电压小于0V时，三极管的工作状态是（）。A、导通状态B、放大状态C、截止状态D、不确定
考题
当NPN三极管发射结电压大于0.6V；集电结电压也大于0.6V时，三极管的工作状态是（）。A、导通状态B、放大状态C、截止状态D、不确定
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管不是（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
若三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（）。A、PNP型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、NPN型硅管
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE＝6V，UB=5.3V，UC=0V，则该管为（）。A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
当NPN三极管发射结电压大于0.6V，集电结电压小于0.6V时，三极管处于（）。A、导通状态B、放大状态C、截止状态D、不确定
考题
对放大电路中的三极管测量，各级对地电压为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V则该管是（）A、硅NPN管B、锗NPN管C、硅PNP管D、锗PNP管
考题
PNP管大多为锗管，其发射结的正向压降一般为（）V。A、0.2～0.3B、0.4C、0.6～0.7D、0.5