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硅三极管正常工作时的Ube的变化范围在()

  • A、0.5~0.6V
  • B、0.6~0.7V
  • C、0.7~0.8V
  • D、0.8~0.9V

参考答案

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考题 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。

考题 温度升高导致三极管参数发生()变化。 A、ICBO,β,UBE都增大B、ICBO,β,UBE都减小C、ICBO,β增大,UBE减小D、β,UBE增大,ICBO减小

考题 温度上升时,半导体三极管的() A、ICBO增大,UBE下降B、UBE增大,ICBO减小C、ICBO和UBE增大D、ICBO和UBE减少

考题 环境温度升高时双极型三极管的ICBO,β,Ube都升高。() 此题为判断题(对,错)。

考题 当温度T升高时,晶体三极管的参数有如下变化规律()。 A、b增大,UBE增大,ICBO增大B、b减小,UBE减小,ICBO减小C、b增大,UBE减小,ICBO增大D、b减小,UBE增大,ICBO减小

考题 常温下,硅晶体管的UBE=0.7V,且随温度升高UBE增加。() 此题为判断题(对,错)。

考题 晶体管的参数受温度的影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为()。 A.β和ICBO增加,UBE减小 B.β和UBE减小,ICBO增加 C.β增加,ICBO和UBE减小 D.β、UBE和ICBO都增加

考题 晶体管的参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为(  )。 A.β增加,ICBO和UBE减小 B.β和ICBO增加,UBE减小 C.β和UBE减小,ICBO增加 D.β、ICBO和UBE都增加

考题 温度升高时,三极管参数正确变化的是()。A、Icbo,Ube,β均增大B、Icbo,Ube,β均减小C、Icbo及β增大,Ube下降D、Icbo及β下降,Ube增大

考题 用万用表测三电极的参数为UBE=0.7V、UCE=5V,则()A、三极管是处于截止状态B、三极管是PNP型C、三极管是硅材料D、三极管是处于饱和状态

考题 常温下,硅晶体三极管的UBE 约为0.7V,且随温度升高而减小。()

考题 温度升高,三极管的()将下降。A、IcboB、IceoC、betaD、Ube

考题 测得硅三极管的极间电压UBE、UCE分别为0伏,12伏,则管子工作在()状态。A、放大B、饱和C、截止D、不一定

考题 硅三极管正常工作时的Ube变化范围在()A、0.5~0.6VB、0.6~0.7VC、0.7~0.8D、0.8~0.9V

考题 某放大电路正常工作时,测得UB=1.5V,UE=2V,则所用半导体三极管的类型及材料为()A、NPN硅B、NPN锗C、PNP硅

考题 硅NPN型的三极管如果它工作于饱和状态,那么,它一定具有以下特征:()。A、UBE在0.3V左右B、UBE约为0.7伏C、UCB>0D、UC<0E、UCB<0

考题 三极管共射极电路的输入特性曲线是指在Uce为一常数时,Ib与Ube之间的关系。

考题 温度升高导致三极管参数发生()变化。A、Icbo、β、Ube都增大B、Icbo、β、Ube都减小C、Icbo和β增大、Ube减小D、Icbo减小、β和Ube增大

考题 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()V和()V。

考题 为使NPN型三极管可靠截止,应使()。A、UBE0,UBC0B、UBE0,UBC0C、UBE0,UBC0D、UBE0,UBC0

考题 当环境温度升高时,三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数β(),穿透电流ICEO(),当IB不变时,发射结正向压降|UBE|()

考题 晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()A、β增加,ICBO,和 uBE减小B、β和ICBO增加,uBE减小C、β和uBE减小,ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加

考题 晶体三极管的参数受温度影响,当温度升高时,晶体管的ICBO将(),β将(),|UBE|将()。

考题 晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。A、β增加,ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加,uBE减小C、β和uBE减小,ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加

考题 温度升高时,三极管的Ube()。

考题 晶体三极管的β、ICBO、UBE都是温度的函数,当温度升高时,β和ICBO(),而UBE()

考题 单选题用万用表测三电极的参数为UBE=0.7V、UCE=5V,则()A 三极管是处于截止状态B 三极管是PNP型C 三极管是硅材料D 三极管是处于饱和状态