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焦饼温度一般控制在1000±50℃。


参考答案

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考题 焦饼中心温度一般控制在1000+50℃。()此题为判断题(对,错)。

考题 ()温度确定的依据是焦饼中心温度。

考题 焦饼中心温度上下温差不超过150℃。

考题 测量焦饼中心温度的目的是什么?

考题 焦饼中心温度一般控制在()。

考题 在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

考题 焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。

考题 焦饼中心温度是确定标准立火道温度的依据,同时又是确定机焦侧温度差的依据。

考题 当焦饼中心温度达到()时,焦炭即告成熟。A、800℃B、950℃C、1000℃D、1050℃

考题 煤隔绝空气加热,经过干燥、热解、熔融、粘结、固化、收缩等阶段,当焦饼中心温度达到(),最终成为成熟的焦炭。A、800±50℃B、900±50℃C、1000±50℃D、1100±50℃

考题 焦饼的中心温度一般在()℃,焦饼上、下温差应小于()℃。

考题 一般焦饼中心温度达到()可视为焦饼成熟。

考题 测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?

考题 焦饼中心温度一般控制在1000+50℃。

考题 焦饼中心温度是确立标准立火道温度的依据,同时又是确定机.焦侧温度差的依据。

考题 焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A、800±50℃B、900±50℃C、1000±50℃D、1100±50℃

考题 用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时,管端距炭化室底部约为()mm。A、300B、600C、800

考题 焦饼中心温度为900±50℃。

考题 焦饼中心温度上下两点温度差不超过()℃。

考题 规定的焦饼中心温度()。A、(800±50)℃B、(900±50)℃C、(1000±50)℃

考题 填空题()温度确定的依据是焦饼中心温度。

考题 判断题焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。A 对B 错

考题 单选题规定的焦饼中心温度()。A (800±50)℃B (900±50)℃C (1000±50)℃

考题 问答题在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

考题 判断题焦饼中心温度为900±50℃。A 对B 错

考题 单选题焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A 800±50℃B 900±50℃C 1000±50℃D 1100±50℃

考题 填空题焦饼中心温度一般控制在()。