考题
MELF型片式陶瓷电容采用()标志。A.色标法B.文字符号法C.数码法D.直标法
考题
国外电容器容量表示法有三种:(1)直接表示法、(2)数码表示法、(3)色码表示法。()
此题为判断题(对，错)。
考题
多层电容器安装需保证下层电容器的底部距地不应小于()。A.100mmB.200mmC.300mmD.400mm
考题
装配式电容器安装施工要点，电容器组安装前应根据单个电容器容量的实测值，进行三相电容器组的配对，确保三相容量差值（）。
考题
表面安装多层陶瓷电容器的容量的标识方法采用（）。A、数码法B、色标法C、直标法D、不标注法
考题
标识为472的表面安装电容器的容量为（）。A、472pFB、4.7nFC、4.7μFD、472μF
考题
电容滤波电路一般采用大容量的（）电容器。A、电解B、陶瓷C、云母D、金属化纸介
考题
国外电容器容量表示法有三种：直接表示法、数码表示法、色码表示法。
考题
片式陶瓷电阻器采用的标志法是（）。A、色标法B、文字符号法C、数码法D、直标法
考题
当变电站的电容器安装容量不具备设计计算条件时，电容器安装容量可按变压器容量的（）确定。A、10%～20%B、10%～30%C、15%～30%D、15%～40%
考题
水情信息编码采用（）加数据（值）描述的方法，表示水文要素的标识及属性。A、数码标识符B、数码符号C、代码标识符D、代码符号
考题
MELF型片式陶瓷电容采用（）标志。A、色标法B、文字符号法C、数码法D、直标法
考题
电容器的标称容量和允许误差的表示方法有（）、（）、（）和数码表示法等。
考题
为获得高电容的多层陶瓷电容器（独石电容），应该采用哪种成型方式，简单描述其工艺过程
考题
多层片状电感器是在陶瓷基片上采用精密薄膜多层工艺技术制成。
考题
容量为2200pF的表面安装电容器，其标识为（）。A、22B、220C、222D、2200
考题
下列电容中（）可以直接在印刷电路板的表面安装。A、纸介电容器B、金属膜电容器C、陶瓷电容器D、SMD
考题
耦合电容器例行巡视要求（）齐全、清晰。A、设备铭牌B、运行编号标识C、设备容量标识D、相序标识
考题
问答题为获得高电容的多层陶瓷电容器（独石电容），应该采用哪种成型方式，简单描述其工艺过程
考题
判断题表面安装多层陶瓷电容器的容量采用数码法进行标识。A
对B
错
考题
单选题表面安装多层陶瓷电容器的容量的标识方法采用（）。A
数码法B
色标法C
直标法D
不标注法
考题
单选题水情信息编码采用（）加数据（值）描述的方法，表示水文要素的标识及属性。A
数码标识符B
数码符号C
代码标识符D
代码符号
考题
填空题电容器的标称容量和允许误差的表示方法有（）、（）、（）和数码表示法等。
考题
填空题装配式电容器安装施工要点，电容器组安装前应根据单个电容器容量的实测值，进行三相电容器组的配对，确保三相容量差值（）。
考题
单选题MELF型片式陶瓷电容采用（）标志。A
色标法B
文字符号法C
数码法D
直标法
考题
单选题标识为472的表面安装电容器的容量为（）。A
472pFB
4.7nFC
4.7μFD
472μF
考题
单选题容量为2200pF的表面安装电容器，其标识为（）。A
22B
220C
222D
2200