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单选题
用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
A
低于
B
等于或大于
C
大于
D
小于或等于
参考答案
参考解析
解析:
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考题
下列有关光子与物质相互作用描述正确的是()。
A、光子与物质原子核发生作用,产生光电效应B、光子与物质原子的内壳层电子发生作用,产生充电效应C、光子与物质原子的外壳层电子发生作用,产生光电效应D、以上都不对
考题
以下关于光电效应的叙述,哪一条是错误的()A、光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B、光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程中除产生光电子外,有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
考题
符合226镭特点的是()A、产生光子,平均能量0.83MeV,半衰期1590年B、产生光子,平均能量1.25Mer,半衰期5.27年C、产生光子,平均能量0.36MeV,半衰期74.2天D、产生电子,平均能量2.28MeV,半衰期28.1年E、产生中子,平均能量2.35MeV,半衰期2.65年
考题
单选题简述光生伏特效应中正确的是()A
用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;B
p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;C
平衡载流子破坏原来的热平衡;D
非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。
考题
单选题当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对。在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负,这种效应称为光生伏特效应。A
P区;B
N区;C
结区;D
中间区。
考题
单选题光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对,在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负A
P区B
N区C
中间区D
结区
考题
单选题符合252锎特点的是()A
产生光子,平均能量0.83MeV,半衰期1590年B
产生光子,平均能量1.25MeV,半衰期5.27年C
产生光子,平均能量0.36MeV,半衰期74.2天D
产生电子,平均能量2.28MeV,半衰期28.1年E
产生中子,平均能量2.35MeV,半衰期2.65年
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