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问答题
在导出P－N结的I－V特性时，全部偏压都降在结空间电荷区。试说明这一假设的合理性。
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考题
PN结加反向电压（数值小于击穿电压）时：（）。A、空间电荷区变宽，漂移运动大于扩散运动B、空间电荷区变窄，漂移运动大于扩散运动C、空间电荷区变窄，扩散运动大于漂移运动D、空间电荷区变宽，扩散运动大于漂移运动
考题
关于PN结的单向导电原理中，以下哪个描述正确（）A、空间电荷区有利于扩散运动，不利于漂移运动B、空间电荷区有利于漂移运动，不利于扩散运动C、当PN结两侧加正向电压时，空间电荷区变厚D、当PN结两侧加反向电压时，空间电荷区变薄
考题
单选题简述光生伏特效应中正确的是（）A
用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；B
p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；C
平衡载流子破坏原来的热平衡；D
非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
考题
单选题关于PN结的单向导电原理中，以下哪个描述正确（）A
空间电荷区有利于扩散运动，不利于漂移运动B
空间电荷区有利于漂移运动，不利于扩散运动C
当PN结两侧加正向电压时，空间电荷区变厚D
当PN结两侧加反向电压时，空间电荷区变薄
考题
问答题试比较p-n结和肖特基结的主要异同点。
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