考题
半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是______。A.具有放大特性B.具有单向导电性C.具有改变电压特性D.具有增强内电场特性
考题
132）半导体具有热敏特性、电敏特性和掺杂特性，利用这些特性可以制成各种不同用途的半导体器件。（ ）
考题
单结晶体管和可控硅是（）。A、具有正电阻特性器件B、具有负电阻特性的器件
考题
整流电路主要是利用（）实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性
考题
半导体热敏电阻的阻值具有随温度升高而（）的特性，具有（）的温度系数。
考题
一般的半导体二极管是（）。A、具有正电阻特性的器件B、具有负电阻特性的器件C、正负电阻特性都有的器件
考题
单结晶体管和可控硅是（）。A、具有正电阻特性器件B、具有负电阻特性的器件C、正负电阻特性都有的器件
考题
晶体二极管具有（）导电的特性，即（）电阻小，（）电阻大的特点。
考题
具有单向导电性的元器件是（）。A、电容器；B、电感器；C、二极管；D、电阻器。
考题
晶体二极管具有单向导电的特性，即（）电阻小，（）电阻大的特点。
考题
晶体二极管有正、负两个电极，具有正向电阻大，反向电阻小的特点。
考题
场效应管是电压控制器件，具有高输入电阻和低噪音的特性.
考题
发光二极管和光敏电阻是利用半导体的光敏特性制成的。
考题
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
考题
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有（）和（）特性。
考题
下列器件有单向导电特性的是（）。A、二极管B、电阻C、电感D、电容
考题
电阻器是利用金属或非金属材料的电阻特性制成的器件。
考题
电阻器是利用（）材料的电阻特性制成的器件。A、合成B、金属C、非金属D、金属或非金属
考题
集成电路是把二极管、三极管、电阻、电容、电感、电位器等元器件按电路的结构要求制作在一块半导体芯片上，然后封装而成的半导体器件
考题
晶体二极管具有单相导电的特性，即正向电阻小，（）电阻大。
考题
单选题PN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是（）。A
具有放大特性B
具有单向导电性C
具有改变电压特性D
具有增强内电场特性
考题
单选题下列器件有单向导电特性的是（）。A
二极管B
电阻C
电感D
电容
考题
单选题一般的半导体二极管是（）。A
具有正电阻特性的器件B
具有负电阻特性的器件
考题
单选题单结晶体管和可控硅是（）。A
具有正电阻特性器件B
具有负电阻特性的器件
考题
单选题半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要的特性是（）。A
具有单向导电性B
具有放大性C
具有改变电压特性D
以上都不对