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沉淀的表面吸咐杂质的量与杂质离子浓度，沉淀表面积、溶液温度成正比关系。（）

参考答案

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考题 在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀
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考题 沉淀的吸附作用与溶液中杂质离子的浓度和沉淀条件有关。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在沉淀过程中，为了除去易吸附的杂质离子，应采取的方法有()。A.将易被吸附的杂质离子分离掉B.改变杂质离子的存在形式C.在较浓溶液中进行沉淀D.洗涤沉淀
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考题 沉淀中若杂质含量太大，则采取（）措施是沉淀纯净。A、再沉淀B、升高沉淀体系温度C、增加陈化时间D、减少沉淀的表面积
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考题 陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子，但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。（）
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考题 沉淀中若杂质含量太高，则应采用（）措施使沉淀纯净。A、再沉淀B、提高沉淀体系温度C、增加陈化时间D、减小沉淀的比表面积
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考题 造成后沉淀的原因，说法错误的是（）。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液
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考题 下列有关洗涤沉淀的叙述，错误的是（）。A、洗涤目的是洗去沉淀表面吸附的杂质B、洗涤目的是洗去沉淀的吸留或混晶的杂质C、洗涤的次数愈多，洗涤效果愈好，但沉淀损失也愈多D、洗涤溶液用量愈多，洗涤效果愈好。
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考题 表面吸附与下列（）因素无关。A、杂质浓度B、沉淀的总表面积C、溶液温度D、容器大小
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考题 在沉淀过程中，为了除去易吸附的杂质离子，应采取的方法有（）。A、将易被吸附的杂质离子分离掉B、改变杂质离子的存在形式C、在较浓溶液中进行沉淀D、洗涤沉淀
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考题 下列关于沉淀吸咐的一般规律，哪些为正确的（）。A、离子价数高的比低的易被吸咐B、离子浓度愈大愈易被吸咐C、沉淀的颗粒愈大、吸咐能力愈强D、能与构晶离子生成难溶盐沉淀的离子优先被吸咐E、温度愈高、愈有利于吸咐
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考题 沉淀的吸附作用与溶液中杂质离子的浓度和沉淀条件有关。
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考题 沉淀表面吸附的杂质的浓度与吸附量的关系是（）。A、浓度越大，吸附量越多B、浓度越大，吸附量越少C、浓度越小，吸附量越多D、没有关系
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考题 在重量分析中，下面说法（）是错误的。A、杂质浓度越大，则吸附杂质的量越多B、同质量的沉淀，颗粒越大，则总表面越大，吸附杂质的量越多C、溶液温度升高，吸附杂质的量减少D、沉淀剂加入过快时，沉淀迅速长大，易使得杂质离子被包藏在沉淀内部
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考题 沉淀析出后，在沉淀与母液一起放置的过程中，溶液中本来难于析出的杂质离子可能沉淀到原沉淀表面上的现象称为（）现象。A、共沉淀B、沉淀析出C、后沉淀D、表面析出
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考题 沉淀称量法中，洗涤沉淀的目的是为了除去混杂在沉淀中的母液和吸附在沉淀表面上的杂质，以及产生共沉淀的其他离子。
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考题 重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A、构晶离子B、高价离子C、极化程度大的离子D、浓度大的离子
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考题 使用H2S溶液沉淀Hg2+时，共存的Ni2+、Zn2+等离子不产生沉淀。但HgS沉淀完全后放置一段时间，沉淀表面杂质质量明显增加。解释这一现象。
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考题 洗涤沉淀的目的是为了洗去（）。A、沉淀剂B、沉淀表面吸附的杂质C、沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D、混杂在沉淀中的母液
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考题 下面影响沉淀纯度的叙述不正确的是（）。A、溶液中杂质含量越大，表面吸附杂质的量越大B、温度越高，沉淀吸附杂质的量越大C、后沉淀随陈化时间增长而增加D、温度升高，后沉淀现象增大
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考题 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀
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考题 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成（）A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀
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考题 重量分析中，若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、表面吸附B、吸留与包藏C、混晶D、后沉淀
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考题 单选题沉淀中若杂质含量太大，则应采取（）措施使沉淀纯净。A 再沉淀B 升高沉淀体系温度C 增加陈化时间D 减小沉淀的比表面积
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考题 单选题重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A 构晶离子B 高价离子C 极化程度大的离子D 浓度大的离子
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考题 单选题洗涤沉淀的目的是为了洗去（）。A 沉淀剂B 沉淀表面吸附的杂质C 沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D 混杂在沉淀中的母液
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考题 单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A 表面吸附B 混晶C 机械吸留D 后沉淀
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