考题
若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管()。
A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流增大
考题
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应使晶体管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结反偏，集电结正偏
C.发射结、集电结均反偏
D.发射结、集电结均正偏
考题
当晶体管的发射结正偏，集电结正偏时，晶体管处于饱和状态。
考题
若三极管的集电结反偏、发射结正偏，则当基极电流减少时，使该三极管（）A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流要增大D、集电极电流不变
考题
晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A、集电结正偏，发射结反偏B、集电结反偏，发射集正偏C、集电结，发射结均反偏D、集电结，发射结均正偏
考题
若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
考题
为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射强正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结零偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
为了使晶体管工作于饱合区，必须保证（）。A、发射结正偏集电结正偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结零偏
考题
当三极管集电结反偏，发射结也反偏时，集电极电流将（）。A、增大B、近似为零C、与正常情况方向相反
考题
晶体管能够放大的外部条件是（）。A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结反偏
考题
晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结反偏C、发射结、集电结均上偏D、发射结正、集电结反偏
考题
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结、集电结均反偏D、发射结、集电结均正偏
考题
晶体管工作在饱和区时，发射结（），集电结（）；工作在放大区时，集电结（），发射结（）。（填写a正偏，b反偏，c零偏）
考题
晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏
考题
如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。A、集电极电流减小B、集电极电压Uc上升C、集电极电流增大
考题
晶体管有电流放大作用的外部条件是发射结（），集电结（）。
考题
晶体三级管电流放大的偏置条件是（）。A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结正偏
考题
晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏，集电结（）。
考题
单选题如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。A
集电极电流减小B
集电极电压Uc上升C
集电极电流增大
考题
填空题当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（）。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（），这称为（）效应。
考题
填空题晶体管的共发射极直流短路电流放大系数是指（）结正偏、（）结零偏时的（）电流与（）电流之比。
考题
单选题晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A
集电结正偏，发射结反偏B
集电结反偏，发射集正偏C
集电结，发射结均反偏D
集电结，发射结均正偏
考题
单选题工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A
发射结正偏，集电结反偏B
发射结反偏，集电结正偏C
发射结、集电结均反偏D
发射结、集电结均正偏
考题
单选题处于截止状态的晶体管，其工作状态为（）。A
发射结正偏，集电结正偏B
发射结反偏，集电结反偏C
发射结正偏，集电结反偏D
发射结反偏，集电结正偏
考题
单选题晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。A
发射结反偏，集电结正偏B
发射结、集电结均反偏C
发射结、集电结均正偏D
发射结正偏，集电结反偏
考题
单选题若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A
发射结正偏、集电结正偏B
发射结反偏、集电结反偏C
发射结正偏、集电结反偏D
发射结反偏、集电结正偏
考题
单选题若使晶体管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）。A
发射结正偏，集电结正偏B
发射结反偏，集电结反偏C
发射结正偏，集电结反偏D
发射结反偏，集电结正偏