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填空题
晶体管的共发射极直流短路电流放大系数是指（）结正偏、（）结零偏时的（）电流与（）电流之比。

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考题 共发射极电路实现放大的条件?_________ A.晶体管必须工作在放大区。发射结正偏，集电结反偏B.正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大区C.输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流D.输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容耦合只输出交流信号
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考题 PN结正偏的特性是（）。A.正偏电阻小、正偏电流大 B.正偏电阻大、正偏电流小 C.正偏电阻小、正偏电流小 D.正偏电阻大、正偏电流大
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考题 PN结正偏的特性是（）A、正偏电阻小，正偏电流大B、正偏电阻大，正偏电流大C、正偏电阻小，正偏电流小D、正偏电大，正偏电流小
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考题 变容二极管的电容量随（）变化。A、正偏电流B、反偏电压C、结温
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考题 值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。（）
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考题 若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
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考题 晶体管特性图示仪零电流开关的作用是测试管子的（）A、击穿电压、导通电流B、击穿电压、穿透电流C、反偏电压、穿透电流D、反偏电流、导通电流
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考题 PN结正偏的特性是（）。A、正偏电阻小、正偏电流大B、正偏电阻大、正偏电流大C、正偏电阻小、正偏电流小D、正偏电阻大、正偏电流小
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考题 为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射强正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结零偏D、发射结反偏，集电结正偏
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考题 为了使晶体管工作于饱合区，必须保证（）。A、发射结正偏集电结正偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结零偏
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考题 晶体管能够放大的外部条件是（）。A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结反偏
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考题 晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结反偏C、发射结、集电结均上偏D、发射结正、集电结反偏
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考题 结型场效应管利用删源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。A、反偏电压B、反向电流C、正偏电压D、正向电流
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考题 温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。
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考题 对于共发射极接法的NPN型三极管工作在截止区的偏置条件是（）A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结正偏
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考题 晶体管工作在饱和区时，发射结（），集电结（）；工作在放大区时，集电结（），发射结（）。（填写a正偏，b反偏，c零偏）
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考题 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏
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考题 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（）A、反向B、近似等于零C、不变D、增大
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考题 如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。A、集电极电流减小B、集电极电压Uc上升C、集电极电流增大
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考题 晶体三级管电流放大的偏置条件是（）。A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结正偏
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考题 在共发射极晶体管的放大电路中，当加有输入信号（动态）时，集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极（）放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功
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考题 在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功
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考题 单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A 反偏电压B 反向电流C 正偏电压D 正向电流
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考题 单选题晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。A 发射结反偏，集电结正偏B 发射结、集电结均反偏C 发射结、集电结均正偏D 发射结正偏，集电结反偏
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考题 单选题若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A 发射结正偏、集电结正偏B 发射结反偏、集电结反偏C 发射结正偏、集电结反偏D 发射结反偏、集电结正偏
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考题 单选题若使晶体管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）。A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结反偏，集电结反偏C 发射结正偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏
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考题 填空题晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指发射结（）偏、集电结（）偏时的（）电流与（）电流之比。
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