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填空题
在硅晶体中掺入少量磷，则形成（）半导体，其少数载流子为（）。

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考题 在半导体硅(锗)中掺入磷、锑等五价元素,得到P型半导体。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
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考题 本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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考题 在纯净的半导体硅中掺入硼元素，则构成了电子型半导体
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考题 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子
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考题 在半导体硅（锗）中掺入磷、锑等五价元素，得到P型半导体。
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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考题 P型半导体中多数载流子为（），少数载流子为（）。
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考题 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。
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考题 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。
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考题 在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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考题 在P型半导体中，（）是少数载流子。A、空穴B、电子C、硅D、锗
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考题 半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
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考题 本征硅中掺入5价元素的原子，则多数载流子是（），掺杂越多，则其数量越（）；相反少数载流子是（），掺杂越多，则其数量越（）。
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考题 本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（），相反，少数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（）。
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考题 本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是（），少数载流子应是（）。
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考题 N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
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考题 在硅半导体中掺入少量的磷杂质，这种半导体一般称为（）型半导体。A、PB、NC、PND、PNP
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考题 自然界物质按导电能力分为（）三种。纯净的半导体又称为（）半导体，用的最多的半导体是硅和锗，它们都具有晶体结构，在纯净半导体中掺入三阶元素后形成空穴P型半导体，掺入五价元素后形成电子N型半导体，半导体受（）的影响最大。
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考题 在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。
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考题 填空题P型半导体是在硅晶体中渗入（）形成的，其多数载流子是（）。
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考题 填空题N型半导体是在硅晶片上掺入少量的（）而形成的，其多数载流子是（）。
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考题 填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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考题 问答题半导体材料的载流子是什么？若在半导体硅中掺入有三个价电子的元素，形成何种类型半导体？五价？
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考题 填空题在硅晶体中掺入少量磷，则形成（）半导体，其少数载流子为（）。
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