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填空题
________或_________晶体替代BGO晶体能分别有效地探测低能和超高能正电子。

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考题 采用标准的BGO(锗酸铋)晶体进行正电子发射断层显像时,探头的状态是A.旋转360°B.探头不需要旋转C.旋转180°D.旋转45°E.旋转90°

考题 采用标准的BGO(锗酸铋)晶体进行正电子发射断层显像时,探头的状态是A.旋转360oB.探头不需要旋转C.旋转180oD.旋转45oE.旋转90o

考题 硅晶体半导体探测器主要用于测量()的相对剂量。A、高能X(γ)射线与低能X射线B、高能X(γ)射线与电子束C、低能X射线与电子束D、高能X射线E、低能X射线

考题 人才模型根据热情和能力分为()。A、I型人才:高热情、高能力B、II型人才:低热情、高能力C、III型人才:高热情、低能力D、IV型人才:低热情、低能力E、V型人才:超热情、超能力

考题 ________或_________晶体替代BGO晶体能分别有效地探测低能和超高能正电子。

考题 威尔逊相模式中的台地沉积区是()环境,浅海陆棚相为()环境。A、高能、高能B、低能、低能C、高能、低能D、低能、高能

考题 关于双探头符合线路SPECT的描述正确的是()A、是在常规SPECT上窦现正电子探测的影像设备B、需配置高能准直器C、探测器晶体改为锗酸铋制成D、可进行F、C、O、N等成像E、可逐步取代PET

考题 获得高能量的原子离开原来的平衡位置,进入其它空位或迁移至晶界或表面,形成()空位。如果离位原子进入晶体间隙,形成()空位。

考题 金属晶体中最主要的面缺陷是()。A、晶界B、亚晶界C、超晶界D、次晶界

考题 采用标准的BGO(锗酸铋)晶体进行正电子发射断层显像时,探头的状态是()A、旋转360°B、探头不需要旋转C、旋转180°D、旋转45°E、旋转90°

考题 关于双探头符合线路SPECT的描述正确的是()。A、是在常规SPECT上窦现正电子探测的影像设备B、需配置高能准直器C、探测器晶体改为锗酸铋制成D、可进行18F、11C、15O、13N等成像E、可逐步取代PET

考题 非晶体通过()可变成晶体。A、非晶化B、玻化C、晶化或脱玻化D、非晶化和脱玻化

考题 金属超塑性可分为()超塑性和相变超塑性。A、晶体B、晶间C、结构D、流动

考题 单选题关于双探头符合线路SPECT的描述正确的是()A 是在常规SPECT上窦现正电子探测的影像设备B 需配置高能准直器C 探测器晶体改为锗酸铋制成D 可进行F、C、O、N等成像E 可逐步取代PET

考题 多选题关于IQon描述错误的是:()A一切扫描皆能量B两层探测器之间没有能量污染C可以进行70kV扫描D上层探测器接收低能量,下层探测器接收高能量E上层探测器接收高能量,下层探测器接收低能量

考题 单选题硅晶体半导体探测器主要用于测量()的相对剂量。A 高能X(γ)射线与低能X射线B 高能X(γ)射线与电子束C 低能X射线与电子束D 高能X射线E 低能X射线

考题 单选题Crystal探测器材质()A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆

考题 单选题有关高能准直成像不正确的是()A 探测正电子湮灭辐射时产生的两个511keVγ光子中的一个B 探测正电子湮灭辐射时产生的两个511keVγ光子中的两个C 不宜进行脑和躯体肿瘤的正电子断层显像D 对判断心肌存活有较大临床价值E 是一种单光子探测方式

考题 单选题威尔逊相模式中的台地沉积区是()环境,浅海陆棚相为()环境。A 高能、高能B 低能、低能C 高能、低能D 低能、高能

考题 单选题采用标准的BGO(锗酸铋)晶体进行正电子发射断层显像时,探头的状态是()A 旋转360°B 探头不需要旋转C 旋转180°D 旋转45°E 旋转90°