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名词解释题
集电结耗尽区渡越时间

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考题 如果晶体三极管的(),则该管工作于饱和区。 A、发射结正偏置，集电结反偏置B、发射结正偏置，集电结正偏置C、发射结反偏置，集电结正偏置D、发射结反偏置，集电结反偏置
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考题 晶体三极管工作在饱和区,发射结、集电结的偏置应()。 A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结正向偏置，集电结正向偏置C、发射结反向偏置，集电结反向偏置D、发射结反向偏置，集电结正向偏置
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考题 三极管饱和区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
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考题 为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）A、发射结正偏，集电结正编B、发射强正编，集电结反编C、发射结正编，集电结零编
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考题 越不可越之山，则登其巅；渡不可渡之河，则达彼岸。这句话是（）说的。
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考题 在顾客总价值与其他成本一定的情况下，（）A、时间成本越低，顾客让渡价值越低B、时间成本越高，顾客让渡价值越高C、时间成本越低，顾客让渡价值越高D、时间成本无论高低，顾客让渡价值越低
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考题 下列不属于影响雪崩二极管响应速度的因素是（）A、载流子完成倍增过程所需要的时间B、载流子在耗尽层的渡越时间C、结电容和负载电阻的RC时间常数D、结电容和负载电感的LC时间常数
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考题 为了使晶体管工作于饱合区，必须保证（）。A、发射结正偏集电结正偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结零偏
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考题 对于共发射极接法的NPN型三极管工作在截止区的偏置条件是（）A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结正偏
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考题 BJT用来放大时，应使发射结处于（）偏置，集电结型处于（）偏置；而工作在饱和区时，发射结处于（）偏置，集电结型处于（）偏置。
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考题 三极管工作在饱和区，要求（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
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考题 晶体三极管工作在饱和区时，要求（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
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考题 三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（）、基区宽度（）且杂质浓度（）、集电结面积（）；外部条件是：发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。
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考题 三极管工作在饱和区时，发射结为（），集电结为（），工作在放大区时，发射结为（），集电结为（），此时，流过发射结的电流主要是（），流过集电结的电流主要是（）。
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考题 晶体三极管基极电流保持不变，当（）时，三极管工作在截止区。A、发射结加正向电压，集电结加反向电压；B、发射结加正向电压，集电结加正向电压；C、发射结加反向电压，集电结加反向电压；D、发射结加反向电压，集电结加正向电压。
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考题 如工作在截止区时，三极管两个结的偏置是（）A、发射结加正向电压，集电结加反向电压B、发射结加反向电压，集电结加正向电压C、发射结加反向电压，集电结加反向电压
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考题 填空题基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。
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考题 名词解释题集电结电容充电时间
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考题 名词解释题基区渡越时间
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考题 名词解释题耗尽区
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考题 单选题如果晶体三极管的（），则该管工作于饱和区。A 发射结正偏置，集电结反偏置B 发射结正偏置，集电结正偏置C 发射结反偏置，集电结正偏置D 发射结反偏置，集电结反偏置
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考题 多选题光电倍增管的时间特性主要有（）参数。A响应时间B渡越时间C渡越时间分散D扩散时间
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考题 填空题基区渡越时间是指（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。
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考题 填空题当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（）。
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考题 填空题晶体管中的少子在渡越（）的过程中会发生（），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（）。
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考题 填空题越不可越之山，则登其巅；渡不可渡之河，则达彼岸。这句话是（）说的。
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考题 填空题当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
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