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名词解释题
基区渡越时间

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考题 晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
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考题 顾客让渡价值越高，顾客购买产品和接受服务的动机感越弱。
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考题 为什么说人身是渡越轮回苦海的船筏？请具体分析它的价值和意义。
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考题 “渡船“是指单程航行时间不超过2h，或单程航行距离不超过20km，用于客渡、车渡、车客渡的船舶。
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考题 越不可越之山，则登其巅；渡不可渡之河，则达彼岸。这句话是（）说的。
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考题 在顾客总价值与其他成本一定的情况下，（）A、时间成本越低，顾客让渡价值越低B、时间成本越高，顾客让渡价值越高C、时间成本越低，顾客让渡价值越高D、时间成本无论高低，顾客让渡价值越低
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考题 下列不属于影响雪崩二极管响应速度的因素是（）A、载流子完成倍增过程所需要的时间B、载流子在耗尽层的渡越时间C、结电容和负载电阻的RC时间常数D、结电容和负载电感的LC时间常数
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考题 晶体管具备电流放大的内部条件是（）。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合
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考题 叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
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考题 造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应
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考题 半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
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考题 晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。
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考题 填空题基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。
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考题 单选题客户让渡价值与客户满意度的关系是（）。A 客户让渡价值越高，顾客的满意程度越高。B 客户让渡价值越高，顾客的满意程度越低C 客户让渡价值越高，顾客的满意程度不一定高D 客户让渡价值与顾客的满意程度没有关系
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考题 多选题光电倍增管的时间特性主要有（）参数。A响应时间B渡越时间C渡越时间分散D扩散时间
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考题 填空题基区渡越时间是指（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。
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考题 填空题当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（）。
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考题 填空题在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
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考题 问答题什么是基区宽变效应，基区宽变效应受哪些因素影响？
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考题 名词解释题基区输运系数
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考题 填空题晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
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考题 填空题晶体管中的少子在渡越（）的过程中会发生（），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（）。
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考题 填空题越不可越之山，则登其巅；渡不可渡之河，则达彼岸。这句话是（）说的。
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考题 填空题在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
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考题 名词解释题基区宽度调制效应
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考题 名词解释题集电结耗尽区渡越时间
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