考题
晶体三极管用于放大时,则()。
A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结正偏，基集反偏
考题
三极管放大的外部件:发射结()、集电结()。
A、正偏，正偏B、正偏，反偏C、反偏，正偏D、反偏，反偏
考题
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏D、前者反偏、后者正偏
考题
三极管处于饱和状态则为()。
A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结都正偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
BJT处于截止状态的条件是()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏
考题
当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。A、前者反偏、后者反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者正偏D、前者反偏，后者正偏
考题
当三极管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A.前者反偏，后者也反偏B.前者正偏，后者反偏C.前者正偏，后者也正偏
考题
处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结正偏，集电结正偏
考题
晶体三极管工作在放大区的条件是（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结正偏，集电结正偏D、不确定正反偏
考题
晶体三极管具备放大功能的条件是发射结正偏和（）。A、发射结反偏B、集电结反偏C、基结反偏D、接收结反偏
考题
三极管饱和区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
考题
当晶体管处于开关饱和状态下，BE结处于（）、BC结处于（）A、正偏；正偏B、正偏；反偏C、反偏；正偏D、反偏；反偏
考题
三极管截至工作状态的外部条件是（）.A、发射结反偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结正偏
考题
为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射强正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结零偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
对三极管部电路有如下要求：（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结正偏，集电结反偏
考题
NPN型三极管在共射极电路中，如果三极管工作在放大区，则应是（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
NPN型光敏三极管在应用电路中，应接成（）形式A、集电极正偏，发射极反偏B、集电极正偏，发射极正偏C、集电极反偏，发射极正偏D、集电极反偏，发射极反偏
考题
半导体三极管处在饱和状态时是（）A、发射结反偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结正偏
考题
三极管工作在放大状态的条件是（）。A、发射极正偏，集电极正偏B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极反偏，集电极反偏D、发射极反偏，集电极正偏
考题
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于（）A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结正偏D、.发射结反偏、集电结反偏
考题
三极管放大区的条件为（）。A、射结正偏，集电结反偏B、射结反偏或零偏，集电结反偏C、射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
考题
晶体三极管用于放大时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，基集反偏
考题
当三极管工作在放大区时，发射结电压和集电极电压应为（）A、反偏、反偏B、反偏、正偏C、正偏、反偏D、正偏、正偏
考题
单选题对三极管部电路有如下要求：（）A
发射结正偏，集电结正偏B
发射结反偏，集电结反偏C
发射结正偏，集电结反偏