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抑制性突触后电位的产生，是由于哪种离子在突触后膜的通透性增加所致?
A．K+、Cl-，尤其是Cl-
B．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
C．Na+、K+，尤其是Na+
D．Na+、Cl-、K+，尤其是K+
参考答案
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考题
抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()
A、Na+、K+、Cl-，尤其是K+B、Na+、K+、Cl-，尤其是Na+C、K+、Cl-，尤其是Cl-D、K+、Cl-，尤其是K+E、Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
考题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。A.Na+、Cl-、K+，尤其是K+B.Ca2+K+、Cl-，尤其是Ca2+C.Na+、K+，尤其是Na+D.K+、Cl-，尤其是C1-E.K+、Cl-、Na+，尤其是Cl-
考题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 （ ）A．Na+、K+，尤其是Na+B．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+C．Na+、Cl、K+，尤其是K+D．K+、Cl-，尤其是Cl-E．K+、Ca2+、Na+，尤其是Ca2+
考题
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位A.K+、Cl-，尤其是K+B.Na+、Cl-，尤其是Na+C.K+、Cl-。尤其是Cl-D.ca2+、cl-尤其是Ca2+E.Na+、Cl-，尤其是Cl-
考题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致A.Ca、K、Cl，尤其是Ca
B.Na、Cl、K，尤其是K
C.K、Ca、Na，尤其是Ca
D.K、Cl，尤其是Cl
E.Na、K，尤其是Na
考题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种的离子通透性增加所致（）A．Na+、Cl-、K+，尤其是K+B．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+C．Na+、K+，尤其是Na+D．Cl-，尤其是Cl-
考题
【单选题】47.IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的A．K+、Na+，尤其是K+B．K+、Na+，尤其是Na+C．Ca2+、K+、Cl-，尤其是K+D．Cl-，尤其是Cl-
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