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题目内容
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突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位
A.K+、Cl-,尤其是K+
B.Na+、Cl-,尤其是Na+
C.K+、Cl-。尤其是Cl-
D.ca2+、cl-尤其是Ca2+
E.Na+、Cl-,尤其是Cl-
参考答案
更多 “ 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位A.K+、Cl-,尤其是K+B.Na+、Cl-,尤其是Na+C.K+、Cl-。尤其是Cl-D.ca2+、cl-尤其是Ca2+E.Na+、Cl-,尤其是Cl- ” 相关考题
考题
抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()
A、Na+、K+、Cl-,尤其是K+B、Na+、K+、Cl-,尤其是Na+C、K+、Cl-,尤其是Cl-D、K+、Cl-,尤其是K+E、Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+
考题
兴奋性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()
A、Na+、K+、Cl-,尤其是K+B、Na+、K+,尤其是Na+C、K+、Cl-,尤其是Cl-D、K+、Cl-,尤其是K+E、Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+
考题
IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的()
A、K+、Na+,尤其是K+B、K+、Na+,尤其是Na+C、Ca2+、K+、Cl-,尤其是K+D、K+、Cl-,尤其是Cl-E、Ca2+、Cl-,尤其是Ca2+
考题
EPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的()
A、K+、Na+,尤其是K+B、K+、Na+,尤其是Na+C、K+、Na+、Cl-,尤其是Cl-D、Ca2+,K+、Cl-,尤其是K+E、K+、Cl-,尤其是Cl-
考题
兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的A.K+、Na+,尤其是K+B.K+、Na+,尤其是Na+C.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Cl-D.K+、Na+、Cl-,尤其是Cl-E.K+、Cl-,尤其是Cl-
考题
抑制性突触后电位的产生,是由于哪种离子在突触后膜的通透性增加所致?A.K+、Cl-,尤其是Cl-B.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+C.Na+、K+,尤其是Na+D.Na+、Cl-、K+,尤其是K+
考题
EPSP是由于突触后膜对某些离子的通透性增加而发生的,主要是( )。A.K+、Na+,尤其是K+B.K+、Na+,尤其是Na+C.K+、Na+、Cl-,尤其是C1-D.K+、Cl-,尤其是Cl-E.Ca2+、Cl-,尤其是Ca2+
考题
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Na+,Cl-,K+,尤其是K+B.Ca2+,K+,Cl-,尤其是Ca2+C.Na+,K+,尤其是Na+D.K+,Cl-,尤其是Cl-E.K+,Ca2+,Na+,尤其是Ca2+
考题
兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了何种离子的通透性( )A.K+、Na+、Cl-,尤其是K+B.K+、Na+、Cl-,尤其是C1-C.K+、Na+、C1-,尤其是Na+D.K+、C1-,尤其是C1-
考题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 ( )A.Na+、K+,尤其是Na+B.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+C.Na+、Cl、K+,尤其是K+D.K+、Cl-,尤其是Cl-E.K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+
考题
IPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加
A. Na+、K+、Cl-,尤其是K+
B. Na+、K+、Cl-,尤其是Na+
C. K+、Cl-,尤其是Cl-
D.K+、Cl-,尤其是K+
考题
抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加A:Na+,K+,尤其是K+
B:Ca2+,Cl-,尤其是Ca2+
C:Na+,Cl-,尤其是Na+
D:K+,Cl-,尤其是Cl-
E:K+,Ca2+,Na+,尤其是Ca2+
考题
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位A:Na+、Cl-、K+,尤其是K+
B:Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+
C:K+、Cl-,尤其是Cl-
D:Na+、Cl-、K+尤其是Na+
E:K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+
考题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。A、Na+、Cl-、K+,尤其是K+B、Ca2+K+、Cl-,尤其是Ca2+C、Na+、K+,尤其是Na+D、K+、Cl-,尤其是C1-E、K+、Cl-、Na+,尤其是Cl-
考题
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()A、K+、Cl-,尤其是K+B、Na+、Cl-,尤优其是Na+C、K+、Cl-,尤其是Cl-D、Ca2+、CI-,尤其是Ca2+E、Na+、Cl-,尤其是Cl-
考题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()A、Na+、Cl- 、K+,尤其是K+B、Ca2+、K+ 、Cl- ,尤其是Ca2+C、Na+ 、K+ ,尤其是Na+D、K+、Cl- ,尤其是Cl-E、K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+
考题
IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加()A、Na+B、Ca2+C、K+、Cl-,尤其是Cl-D、Na+、K+、Cl-,尤其是Na+E、Na+、K+、Cl-,尤其是K+
考题
单选题抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加,包括( )。A
Na+,K+,尤其是K+B
Ca2+,Cl-,尤其是Ca2+C
Na+,Cl-,尤其是Na+D
K+,Cl-,尤其是Cl-E
K+,Ca2+,Na+,尤其是Ca2+
考题
单选题突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()A
K+、Cl-,尤其是K+B
Na+、Cl-,尤优其是Na+C
K+、Cl-,尤其是Cl-D
Ca2+、CI-,尤其是Ca2+E
Na+、Cl-,尤其是Cl-
考题
单选题兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的?( )A
K+、Na+,尤其是K+B
K+、Na+,尤其是Na+C
K+、Na+、Cl-,尤其是Cl-D
Ca2+、K+、Cl-,尤其是Cl-E
K+、Cl-,尤其是Cl-
考题
单选题抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对____的通透性增加所致( )。A
Na+、Cl-、K+,尤其是K+B
Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+C
Na+、K+,尤其是Na+D
K+、Cl-,尤其是Cl-E
K+、Cl-、Na+,尤其是Cl-
考题
单选题抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性?( )A
Na+、Cl-,尤其是对K+B
Ca2+、K+、Cl-,尤其是对Ca2+C
Na+、K+,尤其是对Na+D
K+、Cl-,尤其是对Cl-E
K+、Ca2+、Na+,尤其是对Ca2+
考题
单选题兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对下述哪些离子的通透性增加而引起的?( )A
K+、Na+,尤其是K+B
K+、Na+,尤其是Na+C
K+、Na+、Cl-,尤其是Cl-D
Ca2+、K+、Cl-,尤其是Cl-E
K+、Cl-,尤其是Cl-
考题
单选题抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()A
Na+、Cl- 、K+,尤其是K+B
Ca2+、K+ 、Cl- ,尤其是Ca2+C
Na+ 、K+ ,尤其是Na+D
K+、Cl- ,尤其是Cl-E
K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+
考题
单选题突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()。A
K+、Cl-,尤其是K+B
Na+、Cl-,尤其是Na+C
K+、Cl-,尤其是Cl-D
Ca2+、Cl-,尤其是Ca2+E
Na+、Cl-,尤其是Cl-
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