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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 ( )

A.Na+、K+,尤其是Na+

B.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+

C.Na+、Cl、K+,尤其是K+

D.K+、Cl-,尤其是Cl-

E.K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+


参考答案

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考题 抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致() A、Na+、K+、Cl-,尤其是K+B、Na+、K+、Cl-,尤其是Na+C、K+、Cl-,尤其是Cl-D、K+、Cl-,尤其是K+E、Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+

考题 膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。

考题 IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加A.Na+B.Ca2+C.K+、Cl-,尤其是Cl-D.Na-、K+、Cl-,尤其是Na+E.Na+、K+、Cl-,尤其是K+

考题 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.ClC.Na+D.K+E.Mg2+

考题 抑制性突触后电位的产生,是由于哪种离子在突触后膜的通透性增加所致?A.K+、Cl-,尤其是Cl-B.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+C.Na+、K+,尤其是Na+D.Na+、Cl-、K+,尤其是K+

考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。A.Na+、Cl-、K+,尤其是K+B.Ca2+K+、Cl-,尤其是Ca2+C.Na+、K+,尤其是Na+D.K+、Cl-,尤其是C1-E.K+、Cl-、Na+,尤其是Cl-

考题 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Na+,Cl-,K+,尤其是K+B.Ca2+,K+,Cl-,尤其是Ca2+C.Na+,K+,尤其是Na+D.K+,Cl-,尤其是Cl-E.K+,Ca2+,Na+,尤其是Ca2+

考题 IPSP的产生主要由于突触后膜对下列哪种离子通透性增高所致A.Mg B.Ca C.Clˉ D.Na E.K

考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致A.Ca、K、Cl,尤其是Ca B.Na、Cl、K,尤其是K C.K、Ca、Na,尤其是Ca D.K、Cl,尤其是Cl E.Na、K,尤其是Na

考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对( )的通透性增加所致。

考题 兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种的离子通透性( )

考题 A.Na B.Cl C.Mg D.Ca E.K突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

考题 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.Cl-C.Na+D.K+E.Mg2+

考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。A、Na+、Cl-、K+,尤其是K+B、Ca2+K+、Cl-,尤其是Ca2+C、Na+、K+,尤其是Na+D、K+、Cl-,尤其是C1-E、K+、Cl-、Na+,尤其是Cl-

考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对()A、Cl-的通透性B、K+的通透性C、Na+的通透性D、Mg2+的通透性

考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()A、Na+、Cl- 、K+,尤其是K+B、Ca2+、K+ 、Cl- ,尤其是Ca2+C、Na+ 、K+ ,尤其是Na+D、K+、Cl- ,尤其是Cl-E、K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+

考题 关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()A、突触前轴突末梢超极化B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C、突触后膜去极化D、突触后膜电位负值增大,出现超极化E、突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大

考题 兴奋性突触后电位是由于突触后膜对K+(钾离子)的通透性增加所致

考题 IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加()A、Na+B、Ca2+C、K+、Cl-,尤其是Cl-D、Na+、K+、Cl-,尤其是Na+E、Na+、K+、Cl-,尤其是K+

考题 单选题膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位?(  )A B C D E

考题 单选题抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对____的通透性增加所致(  )。A Na+、Cl-、K+,尤其是K+B Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+C Na+、K+,尤其是Na+D K+、Cl-,尤其是Cl-E K+、Cl-、Na+,尤其是Cl-

考题 单选题抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性?(  )A Na+、Cl-,尤其是对K+B Ca2+、K+、Cl-,尤其是对Ca2+C Na+、K+,尤其是对Na+D K+、Cl-,尤其是对Cl-E K+、Ca2+、Na+,尤其是对Ca2+

考题 单选题产生抑制性突触后电位时,突触后膜对哪种离子通透性升高?(  )A B C D E

考题 单选题关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()A 突触前轴突末梢超极化B 突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C 突触后膜去极化D 突触后膜电位负值增大,出现超极化E 突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大

考题 单选题抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()A Na+、Cl- 、K+,尤其是K+B Ca2+、K+ 、Cl- ,尤其是Ca2+C Na+ 、K+ ,尤其是Na+D K+、Cl- ,尤其是Cl-E K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+

考题 单选题抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致?(  )A Na+、K+,尤其是Na+B Ca2+、K+、Cl一,尤其是Ca2+C Na+、Cl—、K+,尤其是K+D K+、Cl—,尤其是Cl—E K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+

考题 判断题兴奋性突触后电位是由于突触后膜对K+(钾离子)的通透性增加所致A 对B 错