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题目内容
（请给出正确答案）
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是()
A.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高
B.突触前轴突末梢去极化
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.Ca2+由膜外进人突触前膜内
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
参考答案
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考题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的()。
A.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合B.突触后膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动C.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高D.突触前轴突末梢去极化E.Ca2由膜外进入突触前膜内
考题
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是 ( )
A、突触前轴突末梢超极化B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C、突触后膜去极化D、突触后膜电位负值增大，出现超极化E、突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大
考题
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的A．突触前末梢去极化B．Ca2+由膜内进入突触前膜内C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
兴奋性突触后电位的形成是因为( )。A．突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化B．突触后膜对Cl-通透性升高，局部去极化C．突触后膜对Cl-通透性升高，局部超极化D．突触后膜对K+通透性升高，局部超极化E．突触后膜对K+通透性升高，局部去极化
考题
关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化
B.Ca由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
关于兴奋性突触后电位产生的叙述，哪一项是错误的？A．突触前轴突末梢去极化B．突触后膜对Na+、K+，特别是对K+的通透性升高C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．Ca2+由膜外进入突触前膜内
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