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光激励荧光体中,为改变荧光体的结构和物理特性,常需掺入
A.Al3+
B.Eu2+
C.Cu2+
D.TI2+
E.Se2+
参考答案
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考题
单选题关于CR的成像原理,错误的是( )。A
X线照射到成像板的光激励荧光体时,其晶体结构中“陷阱”部位吸收并存储了X线能量B
在光激励发光过程中,荧光体在附加的适当波长的激光能量的激励下,将俘获的能量释放出来C
成像板上涂有一层“光激励存储荧光体”,选用的材料必须具有“光激励发光”的特性D
曝光后的成像板由于吸收X线而发生电离,在光激励荧光体的晶体中产生电子/空穴对E
曝光后的成像板在阅读器内,必须用高能量、高度聚焦的激光扫描
考题
单选题关于CR图像的生成,不正确的是( )。A
成像板上涂有一层光激励存储荧光体,选用的材料不具有“光激励发光”的特性B
微量的Eu2+混杂物加在光激励荧光体中,以改变它的结构和物理特性C
曝光后的成像板在阅读器内,经过用低能量高度聚焦和放大的红色激光扫描D
最常用的激光是He-Ne激光和“二极管”激光,光激励发光波长为390~490nmE
影像读取完成后,IP的影像数据可通过施加强光照射来消除
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