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晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。


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考题 NPN三极管放大导通必须满足这样的条件,即()。 A、发射极加正向电压,集电极加反向电压B、发射极加反向电压,集电极加正向电压C、集电结加正向电压,发射结加反向电压D、集电结加反向电压,发射结加正向电压

考题 4、硅管的死区电压约为 ,导通电压约为 ;锗管的死区电压约为 ,导通电压约为 。

考题 41、晶体三极管放大导通时发射结正偏,集电结反偏见;饱和导通时发射正偏见,集电也正偏。

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考题 二极管的伏安特性可简单理解为 导通, 截止的特性。

考题 关于三极管输入特性曲线的特点,下面描述正确的是()。A.硅三极管导通压降约为0.3V,锗约为0.7V。B.三极管输入特性曲线表明:三极管的输入端有一个开启电压。C.三极管输入特性曲线表明:三极管的输入端有一个导通电压。D.三极管输入特性曲线表明:三极管的输入端有二种状态,即截止状态和导通状态。