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GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。


参考答案

更多 “ GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。 ” 相关考题
考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

考题 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。 A.GTRB.MOSFETC.IGBT

考题 IGBT是电流控制型器件。()

考题 场效应管本质上是一个( )。A.电流控制电流源器件B.电流控制电压源器件C.电压控制电流源器件D.电压控制电压源器件

考题 半导体三极管是一种()。 A.电压控制电压的器件B.电压控制电流的器件C.电流控制电流的器件D.电流控制电压的器件

考题 场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流

考题 场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。 A.原极;B.漏极;C.栅极;

考题 场效晶体管也是一种具有放大能力的晶体管,但它的控制方式与晶体管不同,晶体管是利用输入电流去控制输出电流,是电流控制器件,而场效晶体管是利用输入电压来控制输出电流,是电压控制器件

考题 MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。

考题 晶体三极管是()器件。A、电流控制电压B、电流控制电脑C、电压控制电压D、电流控制电流

考题 场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。

考题 半导体三极管是一种()。A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件

考题 场效应管本质上是一个()A、电流控制电流源器件B、电压控制电流源器件C、电流控制电压源器件D、电压控制电压源器件

考题 场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。A、原极;B、漏极;C、栅极;

考题 场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的,因此,称它为()控制电流的器件。

考题 三极管是()器件。A、电压控制电压B、电流控制电压C、电压控制电流D、电流控制电流

考题 半导体三极管是一种()。A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件D、电流控制电压的器件

考题 电力电子器件IGBT为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

考题 电力电子器件GTR为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

考题 电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 IGBT是全控型晶体管的一种,它的三端器件是()A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极

考题 晶体三极管和场效应管分别是()。A、电压控制器件,电流控制器件B、电流控制器件,电压控制器件C、均为电压控制器件

考题 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。A、GTRB、MOSFETC、IGBT

考题 填空题电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 多选题电力电子器件GTR为()器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型

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考题 单选题电力电子器件IGBT为()器件。A 电压控制型B 电流控制型C 单极型D 双极型