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关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的()。
A.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
B.突触后膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
C.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高
D.突触前轴突末梢去极化
E.Ca2由膜外进入突触前膜内
参考答案
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考题
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的A．突触前末梢去极化B．Ca2+由膜内进入突触前膜内C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化
B.Ca由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是( )。A.
B.突触前末梢去极化
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
关于SYN泛洪攻击,以下哪一项描述是错误的？A．未完成建立过程的TCP连接永久占用连接项B．TCP会话表中的连接项是有限的C．SYN泛洪攻击破坏攻击目标的可用性D．网络中本不存在的 IP地址发起TCP连接建立过程
考题
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