考题
晶体生长有不同的方法,以下不是熔体法生长的是()。
A、直拉法B、布里奇曼法C、区熔法D、真空蒸发法
考题
在金属间化合物的制备方法中，单晶化合物的制备方法与定向凝固法有何异同？
考题
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）A、6B、2C、4D、5
考题
加压溶气气浮法的基本原理是什么？有哪几种基本流程与熔气方式？各有何特点？当前常用的是那种溶气方式？
考题
用胰岛素生长因子-I评价应激程度和营养状态有何优点？
考题
用离子选择电极标准曲线法进行定量分析有何优点？应注意什么？使用总离子强度调节缓冲液有何作用？
考题
工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）
考题
下面哪种不是单晶硅的制备方法（）。A、硅带法B、区熔法C、直拉单晶法D、磁拉法
考题
用气浮分离法富集痕量金属离子有什么优点？为什么要加入表面活性剂？
考题
问答题列出从熔体制备单晶、非晶的常用方法有哪些？
考题
单选题半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。A
70%B
80%C
90%D
60%
考题
判断题区熔法是20世纪50年代发展起来的，能生产到目前为止最纯的硅单晶，含氧量非常少。A
对B
错
考题
问答题简述熔体制备单晶的方法，坩埚法和直拉法的过程细节。
考题
问答题全浮式活塞销有何优点？为什么要轴向定位？
考题
问答题用气浮分离法富集痕量金属离子有什么优点？为什么要加入表面活性剂？
考题
单选题直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）A
6B
2C
4D
5
考题
问答题熔体生长单晶所用坩埚材料遵循哪些原则？
考题
问答题用离子选择电极标准曲线法进行定量分析有何优点？应注意什么？使用总离子强度调节缓冲液有何作用？
考题
填空题直拉法单晶生长过程包括（）、（）、（）、（）、（）等步骤。
考题
问答题加压溶气气浮法的基本原理是什么？有哪几种基本流程与熔气方式？各有何特点？当前常用的是那种溶气方式？