网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
单选题
半导体工业所用的硅单晶()是用CZ法生长的。
A

70%

B

80%

C

90%

D

60%


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “单选题半导体工业所用的硅单晶()是用CZ法生长的。A 70%B 80%C 90%D 60%” 相关考题
考题 在过去的10年中,由美国半导体工业生产的半导体增加了200%,但日本半导体工业生产的半导体增加了500%。因此,日本现在比美国制造的半导体多。以下哪项如果为真,最能削弱以上命题?A.在过去的5年中,由美国半导体工业生产的半导体增长仅100%。B.在过去的10年中,美国生产的半导体的价值比日本生产的高。C.今天美国半导体出口在整个出口产品中所占的比例比10年前高。D.10年前,美国生产的半导体占世界半导体的90%,而日本仅占2%。

考题 电子器件所用的半导体具有晶体结构因此把半导体也称为晶体。() 此题为判断题(对,错)。

考题 《食盐专营办法》所称食盐是指?() A.直接食用和制作食品所用的盐B.渔业用盐C.畜牧用盐D.工业用盐

考题 采用分层总和法计算软土地基沉降量时,压缩层下限确定的根据是: A. σcz/σz≤0. 2 B. σz/σcz≤0. 2 C. σz/σcz≤0. 1 D. σcz/σz≤0. 1

考题 采用分层总和法计算软土地基最终沉降量时,压缩层下限确定的根据是(  )。A.σCz/σz≤0.2 B.σz/σCz≤0.02 C.σCz/σz≤0.1 D.σz/σCz≤0.1

考题 汽车用硅整流发动机主要由()组成。A、转子、定子和硅整流器B、转子、定子和硅单晶

考题 工业丁二烯的生产根据所用溶剂的不同生产方法主要有()。A、ACN法B、DMF法C、NMP法D、MNP法

考题 整流所用的半导体器件特性是()。A、放大特性B、反向击穿C、单向导电D、饱和特性

考题 整流所用的半导体器件特性是()。

考题 神舟5号载人飞船是用什么型号的运载火箭发射的()A、CZ-2EB、CZ-2FC、CZ-3A

考题 中国科学院物理所半导体研究室在()领导下开展硅材料的研究,于1958年获得中国第一根硅单晶,为中国在1960年正式全面开展半导体硅器件的研制创造了先决条件。A、林兰英B、王守觉C、王守武D、黄昆

考题 用Z检验法,作双边统计假设检验时,如果是拒绝了H0,其判定的依据必是()。A、%7cZ%7c≤Zα/2B、%7cZ%7c≥Zα/2C、%7cZ%7c≤ZαD、%7cZ%7c≥Zα

考题 工业用纯铜的牌号是怎样划分的?电线、电缆所用铜是用什么牌号?

考题 工业监控用的存储器使用较多的是()。A、半导体存储器EPROM、EEPROM、SRAM、NOVRAM等B、磁盘、光盘C、磁带、打印机

考题 第二次世界大战以后,电子工业和半导体工业对超纯材料的要求导致()及各种单晶制备方法和气相沉积法的出现。

考题 测氡时,活性炭盒法测量用的γ仪是NaI(Tl)或半导体探头配多道脉冲分析器。

考题 单选题采用分层总和法计算软土地基沉降量时,压缩层下限确定的根据是:()A σcz/σz≤0.2B σz/σcz≤0.2C σz/σcz≤0.1D σcz/σz≤0.1

考题 单选题当采用分层总和法计算软土地基沉降量时,压缩层下限确定的根据是(  )。A σcz/σz≤0.2B σz/σcz≤0.1C σcz/σz≤0.1D σz/σcz≤0.2

考题 问答题定义晶体生长,什么是CZ单晶生长法?

考题 问答题比较硅单晶锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点?

考题 单选题CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()A 加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾B 加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾C 加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生长--收尾D 加料--熔化--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾

考题 填空题目前测定硅单晶中的氧,碳含量最常用的方法()收法。

考题 填空题CZ直拉法的目的是()。

考题 填空题CZ直拉法生长单晶硅是把()变为()并且()的固体硅锭。

考题 填空题第二次世界大战以后,电子工业和半导体工业对超纯材料的要求导致()及各种单晶制备方法和气相沉积法的出现。

考题 问答题工业用纯铜的牌号是怎样划分的?电线、电缆所用铜是用什么牌号?

考题 判断题85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。A 对B 错