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影响高能电子束百分深度剂量的因素有哪些?


参考答案

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考题 高能电子线等剂量线分布的显著特点是A、随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,并随电子束能量而变化B、随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化C、随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化D、随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化E、随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化

考题 影响射野中心轴百分深度剂量的因素有()A、射线能量B、组织深度C、射野大小D、源皮距E、以上各项

考题 不属于高能电子束百分深度剂量的是()A、剂量建成区B、低剂量坪区C、高剂量坪区D、X射线污染区E、剂量跌落区

考题 电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是()A、电子束无明显建成效应B、电子束的皮肤剂量较高C、电子束的照射范围平坦D、电子束射程较短E、电子束容易被散射

考题 硅晶体半导体探测器主要用于测量()的相对剂量。A、高能X(γ)射线与低能X射线B、高能X(γ)射线与电子束C、低能X射线与电子束D、高能X射线E、低能X射线

考题 高能电子束的高值等剂量曲线,随深度增加()A、按几何原理发散B、不变C、逐渐展宽D、逐渐内敛E、线性变化

考题 关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。A、大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区B、大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区C、大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区D、剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样

考题 关于照射野对百分深度剂量的影响,哪项错误()?A、照射野越大,影响越大B、电子束射程越短,影响越大C、低能时,影响较大D、当照射野的直径大于电子束射程的1/2时,影响较小E、当照射野的直径大于电子束射程的2/3时,影响较大

考题 高能X线照射时组织填充一般是用于( )A、减轻皮肤反应B、提高百分深度剂量C、提高肿瘤(靶区)的百分深度剂量D、提高皮肤剂量E、代替组织补偿器

考题 影响百分深度剂量的因素有哪些?

考题 高能电子束等剂量分布特点是什么?

考题 电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点,哪项错误()A、表面剂量增加B、最大剂量深度变深C、X射线污染增加D、剂量梯度变陡E、高能电子束较低能电子束变化显著

考题 不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是()A、剂量建成区B、高剂量坪区C、X射线污染区D、剂量跌落区E、指数衰减区

考题 高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是()A、随深度增加,等剂量线向外侧扩张B、电子束入射距离较远C、电子束入射能量较高D、电子束中包含一定数量的X射线E、电子束在其运动径迹上不易被散射

考题 描述电子束百分深度剂量的参数不包括()A、DS(表面剂量)B、DX(韧致辐射剂量)C、Rr(剂量规定值深度)D、RP(射程)E、Dr(剂量规定值)

考题 关于能量对电子束百分深度剂量的影响,哪项描述正确()?A、随射线能量增加,表面剂量减少B、随射线能量减小,X射线污染减少C、随射线能量增加,高剂量坪区变宽D、随射线能量减小,剂量梯度增大

考题 描述照射对电子束百分深度剂量的影响,正确的是()A、较高能量的电子束,照射野对百分深度剂量无影响B、较低能量的电子束,照射野对百分深度剂量无影响C、较低能量的电子束,较大照射野对百分深度剂量影响较大D、较高能量的电子束,较大照射野对百分深度剂量影响较大E、较高能量的电子束,较小照射野对百分深度剂量影响较大

考题 关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是()A、剂量建成区B、低剂量坪区C、高剂量坪区D、剂量跌落区E、X射线污染区

考题 电子束的斜入射的影响是()A、增加最大剂量深度的侧向散射B、使最大剂量深度向表面方向前移C、穿透能力减弱D、ABC均正确E、无明显影响

考题 对高能电子束等剂量曲线形状的错误描述是( )A、入射面处曲线集中,随深度增加,逐渐散开,有较大的旁向散射B、曲线的曲度随深度、射野面积及能量变化而变化C、等剂量曲线(包括百分深度剂量曲线)只有对具体机器在具体条件下才有意义D、等剂量曲线表明,低值等剂量线向内收缩而高值等剂量线则呈膨胀趋势E、不论入射面是平的还是弯曲的,曲线中心部分与入射表面平行

考题 单选题高能X线照射时组织填充一般是用于( )A 减轻皮肤反应B 提高百分深度剂量C 提高肿瘤(靶区)的百分深度剂量D 提高皮肤剂量E 代替组织补偿器

考题 单选题源皮距的改变对百分深度剂量的影响是()。A 短距离治疗机的百分深度剂量较大,远距离治疗机的百分深度剂量较高B 短距离治疗机的百分深度剂量较小,远距离治疗机的百分深度剂量较高C 短距离治疗机的百分深度剂量较大,远距离治疗机的百分深度剂量较低D 短距离治疗机的百分深度剂量较小,远距离治疗机的百分深度剂量较低E 短距离治疗机的百分深度剂量与远距离治疗机的百分深度剂量相同

考题 单选题高能电子线等剂量线分布的显著特点包括(  )。A 随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,并随电子束能量而变化B 随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化C 随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化D 随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化E 随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化

考题 单选题关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。A 大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区B 大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区C 大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区D 剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减E 和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样

考题 单选题电子束斜入射对百分深度剂量的影响是()A 源于电子束的侧向散射效应B 距离平方反比造成的线束的扩散效应C 源于电子束的侧向散射效应和距离平方反比造成的线束的扩散效应的双重作用的结果D 源于电子束的偏射角度E 源于射程的增加

考题 单选题不属于高能电子束百分深度剂量的是()A 剂量建成区B 低剂量坪区C 高剂量坪区D X射线污染区E 剂量跌落区

考题 单选题根据电子束百分深度剂量随深度变化的规律,对于深度为1cm的靶区,电子能量应选择()。A 4MeVB 6MeVC 9MeVD 12MeVE 15MeV