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描述电子束百分深度剂量的参数不包括（）
- A、DS（表面剂量）
- B、DX（韧致辐射剂量）
- C、Rr（剂量规定值深度）
- D、RP（射程）
- E、Dr（剂量规定值）
参考答案
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考题
高能电子线等剂量线分布的显著特点是A、随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，并随电子束能量而变化B、随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化C、随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化D、随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化E、随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化
考题
电子束百分深度剂量随能量的改变而改变，其变化特点是（）A、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染减小B、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加C、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加D、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染增加E、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染减小
考题
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。A、大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区B、大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区C、大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区D、剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
考题
关于照射野对百分深度剂量的影响，哪项错误（）？A、照射野越大，影响越大B、电子束射程越短，影响越大C、低能时，影响较大D、当照射野的直径大于电子束射程的1/2时，影响较小E、当照射野的直径大于电子束射程的2/3时，影响较大
考题
X（γ）线、电子束混合照射的物理原理是（）。A、电子束的较高皮肤剂量和X(γ)线的较高的深部剂量B、X(γ)较低的皮肤剂量和电子束的有效治疗漃、深度C、X(γ)线的指数吸收规律和电子束的相对剂量坪区D、电子束的有效治疗深度和X(γ)线的指数吸收规律E、电子束的有效射程
考题
关于电子束的等剂量分布，描述正确的一项是（）A、随深度增加，低值等剂量线向外侧扩张B、随深度增加，高值等剂量线向外侧扩张C、随深度减小，低值等剂量线向外侧扩张D、随深度减小，高值等剂量线向外侧扩张E、等剂量线不随电子束能量而变化
考题
高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”，其形成原因是（）A、随深度增加，等剂量线向外侧扩张B、电子束入射距离较远C、电子束入射能量较高D、电子束中包含一定数量的X射线E、电子束在其运动径迹上不易被散射
考题
关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确（）？A、随射线能量增加，表面剂量减少B、随射线能量减小，X射线污染减少C、随射线能量增加，高剂量坪区变宽D、随射线能量减小，剂量梯度增大
考题
描述照射对电子束百分深度剂量的影响，正确的是（）A、较高能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响B、较低能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响C、较低能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大D、较高能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大E、较高能量的电子束，较小照射野对百分深度剂量影响较大
考题
单选题源皮距的改变对百分深度剂量的影响是（）。A
短距离治疗机的百分深度剂量较大，远距离治疗机的百分深度剂量较高B
短距离治疗机的百分深度剂量较小，远距离治疗机的百分深度剂量较高C
短距离治疗机的百分深度剂量较大，远距离治疗机的百分深度剂量较低D
短距离治疗机的百分深度剂量较小，远距离治疗机的百分深度剂量较低E
短距离治疗机的百分深度剂量与远距离治疗机的百分深度剂量相同
考题
单选题高能电子线等剂量线分布的显著特点包括（ ）。A
随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，并随电子束能量而变化B
随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化C
随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化D
随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化E
随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化
考题
单选题指出下列百分深度剂量的变化哪项不正确（）A
百分深度剂量随能量的增加而增加B
百分深度剂量随面积的增加而增加C
百分深度剂量随深度的增加而增加D
百分深度剂量随源皮距的增加而增加E
百分深度剂量随射线强度的增加而增加
考题
单选题关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。A
大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区B
大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区C
大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区D
剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减E
和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
考题
单选题电子束百分深度剂量分布随能量变化十分明显。随着电子束能量的增加（）。A
表面剂量不变，高剂量坪区不变B
表面剂量不变，高剂量坪区变宽C
表面剂量增加，高剂量坪区变窄D
表面剂量增加，高剂量坪区变宽E
表面剂量减小，高剂量坪区变窄
考题
单选题电子束斜入射对百分深度剂量的影响是（）A
源于电子束的侧向散射效应B
距离平方反比造成的线束的扩散效应C
源于电子束的侧向散射效应和距离平方反比造成的线束的扩散效应的双重作用的结果D
源于电子束的偏射角度E
源于射程的增加
考题
单选题关于电子束的等剂量分布，描述正确的一项是（）A
随深度增加，低值等剂量线向外侧扩张B
随深度增加，高值等剂量线向外侧扩张C
随深度减小，低值等剂量线向外侧扩张D
随深度减小，高值等剂量线向外侧扩张E
等剂量线不随电子束能量而变化
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