考题
超声波探伤激励晶片振动的电脉冲产生于( )。A、接收电路B、同步电路C、发射电路D、扫描电路
考题
常用压电晶片基频主要取决于电压。 （ ）此题为判断题(对，错)。
考题
常用压电晶片基频主要取决于发射电压幅度。()
此题为判断题(对，错)。
考题
探头中压电晶片的基频取决于()A.激励电脉冲的宽度
B.发射电路阻尼电阻的大小
C.晶片材料和厚度
D.晶片的机电耦合系数
考题
有晶片所发射的超声波声束的扩散主要取决于()A.探伤类型
B.晶片背衬的致密性
C.频率和晶片尺寸
D.脉冲宽度
考题
压电晶片的压电电压常数大，则说明该晶片发射性能好。
考题
压电晶片的基频（）。A、是所加电脉冲持续时间的函数B、是仪器接收器放大特性的函数C、是晶片厚度的函数D、以上都不对
考题
超声波探头中的匹配吸收块（），其作用是阻尼晶片的振动使脉冲便窄，限制从晶片背面发射的声波，以防止出现杂波。探头若不加阻尼块，始脉冲应会变（），盲区变（），分辩力（）
考题
直探头中阻尼块的作用是（）。A、对晶片振动起阻尼作用B、吸收晶片背面发出的杂波C、对晶片起支撑作用D、以上都是
考题
为了从换能器获得最高灵敏度：（）A、应减小阻尼块B、应使用大直径晶片C、应使压电晶片在它的共振基频上激励D、换能器频带宽度应尽可能大
考题
有晶片所发射的超声波声束的扩散主要取决于（）A、探伤类型B、晶片背衬的致密性C、频率和晶片尺寸D、脉冲宽度
考题
直探头的压电晶片发射纵波，斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。
考题
探头中使用压电陶瓷晶片的优点是（）。A、激励电脉冲的宽度B、发射电路阻尼电阻的大小C、晶片的材料和厚度D、晶片的机电耦合系数
考题
超声波探头中的压电晶片有压电效应，当高频电脉冲激励压电晶片时，发生逆压电效应，将（），探头发射超声波。
考题
探头中的换能器通常用压电晶片来制作，当压电晶片受发射电脉冲激励后产生振动，即可发射声脉冲，为（）效应。A、逆压电B、正压电C、压电D、压差
考题
发射部分产生约500V以上的高压电脉冲，这个是电脉冲加到压电晶片上能使晶片发生（）。A、声电变换B、超声波C、触发信号电压D、低频脉冲
考题
探头的频率取决于（）。A、晶片的厚度B、晶片材料的声速C、晶片材料的声阻抗D、晶片材料的密度
考题
若压电晶片的厚度为30mm，晶片的声速为3000m/s，则发射声波的频率为（）。
考题
单选题探头中压电晶片的基频取决于（）A
激励电脉冲的宽度B
发射电路阻尼电阻的大小C
晶片材料和厚度D
晶片的机电耦合系数
考题
单选题探头的频率取决于（）。A
晶片的厚度B
晶片材料的声速C
晶片材料的声阻抗D
晶片材料的密度
考题
单选题超声波探伤激励晶片振动的电脉冲产生于（）。A
接收电路B
同步电路C
发射电路D
扫描电路
考题
填空题若压电晶片的厚度为30mm，晶片的声速为3000m/s，则发射声波的频率为（）。
考题
单选题有晶片所发射的超声波声束的扩散主要取决于（）A
探伤类型B
晶片背衬的致密性C
频率和晶片尺寸D
脉冲宽度
考题
单选题为了从换能器获得最高灵敏度：（）A
应减小阻尼块B
应使用大直径晶片C
应使压电晶片在它的共振基频上激励D
换能器频带宽度应尽可能大
考题
判断题常用压电晶片基频主要取决于电压。A
对B
错
考题
单选题直探头中阻尼块的作用是（）。A
对晶片振动起阻尼作用B
吸收晶片背面发出的杂波C
对晶片起支撑作用D
以上都是