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因反负饱合电流的影响，在温度变化较大的环境下三极管应选择（）管；

  • A、锗；
  • B、硅；
  • C、锌；

参考答案

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考题 在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。A、NPN 型硅管B、NPN 型锗管C、PNP 型硅管D、PNP 型锗管
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考题 硅管比锗管受温度影响()。 A.较大B.较小C.相同
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考题 在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE =0.2V、VCE = 4V，则这只三极管为( )。A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管
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考题 因反负饱合电流的影响,在温度变化较大的环境下三极管应选择()管; A.锗；B.硅；C.锌；
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考题 在某放大电路中,测得三极管各电极对‘地’的电压分别为6V/9.8V/10V,由此可判断该三极管为（） （A）NPN硅管（B）NPN锗管（C）PNP硅管（D）PNP锗管
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考题 测得一放大电路中三极管各级电压如图所示，则该三极管为（　　）。 A． NPN型锗管 B． NPN型硅管 C． PNP型锗管 D． PNP型硅管
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考题 点接触型二极管一般为（）二极管，主要用于（）、高频检波等场合。A.硅：小电流 B.锗；小电流 C.硅；较大电流 D.锗；较大电流
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考题 面接触型二极管可以承受（），常用于整流电路，工作频率较低，不能用于高频电路中。面接触型二极管一般为（）二极管。A.小电流；硅 B.小电流；锗 C.较大电流；硅 D.较大电流；锗
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考题 在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V，则这只三极管为（）。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管
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考题 工作在放大状态的三极管，测得三个管脚的电位分别为：1脚，-3.2V，2脚，-3V，3脚，-6V。由此可以判定三极管为（）。A、NPN型硅管B、PNP型硅管C、NPN型锗管D、PNP型锗管
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考题 硅管比锗管受温度影响（）。A、较大B、较小C、相同
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考题 三极管的型号为3DG6，它是（）三极管。A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
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考题 3DG4C表示（）A、NPN型硅材料高频小功率三极管；B、PNP型硅材料高频小功率三极管；C、NPN型锗材料高频大功率三极管；D、PNP型锗材料低频小功率三极管
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考题 3DA101表示（）A、NPN型硅材料高频小功率三极管；B、PNP型锗材料低频小功率三极管；C、NPN型硅材料高频大功率三极管；D、PNP型锗材料低频大功率三极管；
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考题 对于光电管的基本特性，下面说法正确的是（）。A、当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降。B、三极管的光照特性曲线有良好的线性。C、在零偏压时，二极管和三极管都没有光电流输出。D、温度变化对光电管的光电流影响很小，而对暗电流影响很大。E、锗光电二极管的温度特性比硅光电二极管好。
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考题 常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
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考题 在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（）A、NPN型硅管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、PNP型锗管
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考题 硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管（），温度稳定性比锗管（）。
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考题 在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
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考题 若三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（）。A、PNP型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、NPN型硅管
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考题 按制作三极管的基片材料分，三极管可分为（）两大类。A、硅管和锗管B、硅管和铝管C、锗管和铝管D、铝管和锌管
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考题 NPN三极管为（）。A、硅三极管B、锗三极管C、可能是硅管或是锗管D、场效应管
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考题 填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
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