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场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。

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考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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考题 某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。 A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V
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考题 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
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考题 功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
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考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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考题 场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
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考题 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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考题 结型场效应管工作在线性区时，有放大作用。它是用栅源间的电压控制漏极电流的。由它构成的放大电路（），并有一定的电压放大倍数。A、输入电阻很大；B、输入电阻很小；C、输出电阻很大；D、输出电阻很小。
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考题 功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
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考题 在场效应管中,沟通被夹断时的漏源电压叫夹断电压。
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考题 绝缘栅场效应管的栅极与源极和（）之间是完全绝缘的。A、漏极B、正极C、负极D、源极
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考题 场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压
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考题 N沟道结型场效应管的夹断电压VP为（）。A、正值B、负值C、零
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考题 场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
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考题 根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
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考题 场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。
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考题 结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。
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考题 场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
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考题 场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
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考题 结型场效应管的栅、源极之间应加（）电压。
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考题 场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的，因此，称它为（）控制电流的器件。
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考题 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
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考题 在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）A、体内场效应而工作的B、表面场效应而工作的C、载流子导电而工作的
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考题 单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A 反偏电压B 反向电流C 正偏电压D 正向电流
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考题 判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A 对B 错
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考题 单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A 栅极电流B 栅源电压C 漏源电压D 栅漏电压
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考题 多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
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